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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET modeling for design of ultra-high performance infrared CMOS imagers working at cryogenic temperatures: Case of an analog/digital 0.18 μm CMOS process
    MARTIN, P ; ROYET, A. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 62 (2011), Heft 1, S. 115-122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics
    GOTTLOB, H. D. B ; ECHTERMEYER, T ; et al.
    In: ISDRS 2005, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 979-985
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    An approach based on neural computation to simulate the nanoscale CMOS circuits: Application to the simulation of CMOS inverter
    DJEFFAL, F ; CHAHDI, M ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 48-56
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Numerical analysis of the new Implant-Free Quantum-Well CMOS: DualLogic approach
    BENBAKHTI, Brahim ; CHAN, Kahhou ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 63 (2011), Heft 1, S. 14-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Operational upsets and critical new bit errors in CMOS digital inverters due to high power pulsed electromagnetic interference
    KIM, Kyechong ; ILIADIS, Agis A
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 1, S. 18-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Nanoscale CMOS: potential nonclassical technologies versus a hypothetical bulk-silicon technology
    KIM, Seung-Hwan ; FOSSUM, Jerry G
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 4, S. 595-605
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A single-poly EEPROM cell structure compatible to standard CMOS process
    LIN, Ching-Fang ; SUN, Cherng-Yuan
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 6, S. 888-893
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs
    ITOH, Kiyoo ; HORIGUCHI, Masashi
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design of single-gate n-channel and p-channel MOSFETs with enhanced current-drive due to simultaneous switching of front and back channels in SOI CMOS technology
    BINDU, B ; LAKSHMI, N ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 7-8, S. 1359-1367
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Physical insights on nanoscale multi-gate CMOS design
    FOSSUM, Jerry G
    In: EUROSOI'06 Conference. Selected papers, Jg. 51 (2007), Heft 2, S. 188-194
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Pushing CMOS beyond the roadmap
    RISCH, L
    In: Papers selected from the 35th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC'05, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 527-535
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature instability of advanced SOI CMOS transistors
    IOANNOU, D. P ; IOANNOU, D. E
    In: EUROSOI'06 Conference. Selected papers, Jg. 51 (2007), Heft 2, S. 268-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Low frequency noise in multi-gate SOI CMOS devices
    ZAFARI, Leily ; JOMAAH, Jalal ; et al.
    In: EUROSOI'06 Conference. Selected papers, Jg. 51 (2007), Heft 2, S. 292-298
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High mobility CMOS technologies using III―V/Ge channels on Si platform
    TAKAGI, S ; KIM, S.-H ; et al.
    In: Selected extended papers from ULIS 2012 conference, Jg. 88 (2013), S. 2-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Study of leakage-induced photon emission processes in sub-90 nm CMOS devices
    WEIZMAN, Y ; GURFINKEL, M ; et al.
    In: ISDRS 2005, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 920-923
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS compatible self-aligned S/D regions for implant-free InGaAs MOSFETs
    CZORNOMAZ, L ; EL KAZZI, M ; et al.
    In: Selected Papers from the ESSDERC 2011 Conference, Jg. 74 (2012), S. 71-76
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Compact modeling of CMOS transistors under variable uniaxial stress
    WACKER, Nicoleta ; RICHTER, Harald ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 52-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A spice-like reliability model for deep-submicron CMOS technology
    CUI, Z ; LIOU, J. J
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 10, S. 1702-1707
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Investigation of 65 nm CMOS transistor local variation using a FET array
    XU, Y. Z ; CHEN, C. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1244-1248
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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