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    A high current gain gate-controlled lateral bipolar junction transistor with 90 nm CMOS technology for future RF SoC applications
    CHEN, Shuo-Mao ; FANG, Yean-Kuen ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1140-1144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    A high current gain gate-controlled lateral bipolar junction transistor with 90nm CMOS technology for future RF SoC applications
    Lee, I. C. ; Yeh, Wen-Kuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-08-01), S. 1140-1144
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Extrinsic parameter extraction and RF modelling of CMOS
    Armstrong, G.A. ; Alam, M.S.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-05-01), S. 669-674
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Scaleable large-signal model of 0.18 μm CMOS process for rf power predictions
    Ho, Chien-Chih ; Kuo, Chin-Wei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003), S. 77-81
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Extrinsic parameter extraction and RF modelling of CMOS
    Alam, M.S. ; Armstrong, G.A.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-05-01), Heft 5, S. 669-674
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Scaleable large-signal model of 0.18 <f>μ</f>m CMOS process for rf power predictions
    Kuo, Chin-Wei ; Hsiao, Chao-Chih ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003), Heft 1, S. 77-81
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A high current gain gate-controlled lateral bipolar junction transistor with 90nm CMOS technology for future RF SoC applications
    Chen, Shuo-Mao ; Fang, Yean-Kuen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-08-01), Heft 8, S. 1140-1144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Scaleable large-signal model of 0.18 μm CMOS process for rf power predictions.
    Kuo, Chin-wei ; Hsiao, Chao-chih ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003), Heft 1, S. 77-81
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    RF MOSFET: recent advances, current status and future trends.
    Liou, Juin J. ; Schwierz, Frank
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-11-01), Heft 11, S. 1881-1895
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design and fabrication of Schottky diode, on-chip RF power detector
    Melngailis, John ; Firestone, Todd M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-10-01), S. 2089-2093
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Drain-extended MOS transistors capable for operation at 10 V and at radio frequencies
    Mai, Andreas ; Rucker, H.
    In: Solid-State Electronics, 2011-11-01, S. 45-50
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Small signal model and analog performance analysis of negative capacitance FETs.
    Eslahi, Hossein ; Hamilton, Tara J. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Characterization and optimization of partially depleted SOI MOSFETs for high power RF switch applications.
    Im, Donggu ; Lee, Kwyro
    In: Solid-State Electronics, Jg. 90 (2013-12-01), S. 94-98
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Small NMR biomolecular sensors.
    Sun, Nan ; Liu, Yong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 84 (2013-06-01), S. 13-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Silicon on insulator MESFETs for RF amplifiers
    Wilk, Seth J. ; Balijepalli, Asha ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-03-01), Heft 3, S. 336-342
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Large-signal modeling of SOI MESFETs
    Balijepalli, A. ; Vijayaraghavan, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-06-01), Heft 6, S. 943-950
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    RF performances at cryogenic temperature of inductors integrated in a FDSOI technology.
    Berlingard, Quentin ; Lugo-Alvarez, Jose ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 194 (2022-08-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Extraction and modeling of layout-dependent MOSFET gate-to-source/drain fringing capacitance in 40 nm technology.
    Sun, Lijie ; Shang, Ganbing ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 111 (2015-09-01), S. 118-122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-Frequency noise investigation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors.
    Glória Caño de Andrade, Maria ; Felipe de Oliveira Bergamim, Luis ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 183 (2021-09-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Study on dual-lateral-gate suspended-body single-walled carbon nanotube field-effect transistors
    Cao, Ji ; Ionescu, Adrian M.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 74 (2012-08-01), S. 121-125
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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