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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET modeling for design of ultra-high performance infrared CMOS imagers working at cryogenic temperatures: Case of an analog/digital 0.18 μm CMOS process
    MARTIN, P ; ROYET, A. S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 62 (2011), Heft 1, S. 115-122
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS reliability issues for emerging cryogenic Lunar electronics applications
    TIANBING, CHEN ; CHENDONG, ZHU ; et al.
    In: ISDRS 2005, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 959-963
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS integration of epitaxial Gd2O3 high-k gate dielectrics
    GOTTLOB, H. D. B ; ECHTERMEYER, T ; et al.
    In: ISDRS 2005, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 979-985
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An approach based on neural computation to simulate the nanoscale CMOS circuits: Application to the simulation of CMOS inverter
    DJEFFAL, F ; CHAHDI, M ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 48-56
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    60-GHz transmit/receive switch using a p―n diode and MOS transistors in 130-nm CMOS
    CHUYING, MAO ; O, Kenneth K
    In: Solid-state electronics, Jg. 79 (2013), S. 79-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Numerical analysis of the new Implant-Free Quantum-Well CMOS: DualLogic approach
    BENBAKHTI, Brahim ; CHAN, Kahhou ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 63 (2011), Heft 1, S. 14-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The effect of photodiode shape on charge transfer in CMOS image sensors
    BHUMJAE, SHIN ; PARK, Sangsik ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 11, S. 1416-1420
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Operational upsets and critical new bit errors in CMOS digital inverters due to high power pulsed electromagnetic interference
    KIM, Kyechong ; ILIADIS, Agis A
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 1, S. 18-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A high current gain gate-controlled lateral bipolar junction transistor with 90 nm CMOS technology for future RF SoC applications
    CHEN, Shuo-Mao ; FANG, Yean-Kuen ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1140-1144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Advanced SOI CMOS transistor technology for high performance microprocessors
    HORSTMANN, M ; WIATR, M ; et al.
    In: Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference 2009, ULIS 2009, Jg. 53 (2009), Heft 12, S. 1212-1219
    academicJournal
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    STI-to-gate distance effects on flicker noise characteristics in 0.13 μm CMOS
    CHAN, Chih-Yuan ; HUANG, Yen-Chun ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1182-1187
    academicJournal
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    Characterization of sub-100 nm CMOS process using screening experiment technique
    SRINIVASAIAH, H. C ; BHAT, Navakanta
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 3, S. 431-436
    academicJournal
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    A single-poly EEPROM cell structure compatible to standard CMOS process
    LIN, Ching-Fang ; SUN, Cherng-Yuan
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 6, S. 888-893
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs
    ITOH, Kiyoo ; HORIGUCHI, Masashi
    In: Special Issue with Papers Selected from the Ultimate Integration on Silicon Conference, Ulis 2008, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optimum bias of power transistor in 0.18 μm CMOS technology for bluetooth application
    HSU, Heng-Ming ; LEE, Tai-Hsing
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 3, S. 412-415
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design of single-gate n-channel and p-channel MOSFETs with enhanced current-drive due to simultaneous switching of front and back channels in SOI CMOS technology
    BINDU, B ; LAKSHMI, N ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 7-8, S. 1359-1367
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A single electron bipolar avalanche transistor implemented in 90 nm CMOS
    WEBSTER, Eric A. G ; RICHARDSON, Justin A ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 76 (2012), S. 116-118
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effects of shallow trench isolation on low frequency noise characteristics of source-follower transistors in CMOS image sensors.
    Kwon, Sung-Kyu ; Kwon, Hyuk-Min ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 119 (2016-05-01), S. 29-32
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A polylogarithmic model for thin-film transistors used in a CMOS inverter amplifier.
    Ortiz-Conde, Adelmo ; Ávila-Avendaño, Carlos ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 188 (2022-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
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