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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    A macro model of RF Schottky diode in 22-nm CMOS and its application
    Jiang, Yanfeng ; Yu, Pingping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 7-11
    Online unknown
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    28 nm CMOS process ESD protection based on diode-triggered silicon controlled rectifier
    Guo, Wei ; Jin, Hao ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 137 (2017-11-01), S. 128-133
    Online unknown
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    Design of embedded SCR device to improve ESD robustness of stacked-device output driver in low-voltage CMOS technology
    Yan Lian Chiu ; Lin, Chun-Yu
    In: Solid-State Electronics, Jg. 124 (2016-10-01), S. 28-34
    Online unknown
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    Pinning voltage model of vertical pinned photodiode for Dual-Pixel image sensor.
    Ahn, Hyeon Soo ; Kim, Donguk ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 216 (2024-06-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability
    Kai Ling Chiu ; Liu, Tiehui ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2011-11-01, S. 184-190
    Online unknown
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    Operational upsets and critical new bit errors in CMOS digital inverters due to high power pulsed electromagnetic interference
    Iliadis, Agis A. ; Kim, Kyechong
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010), S. 18-21
    Online unknown
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    The effect of photodiode shape on charge transfer in CMOS image sensors
    Park, Sangsik ; Shin, Bhum-Jae ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-11-01), S. 1416-1420
    Online unknown
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    Ultrathin DPN STI SiON liner for 40nm low-power CMOS technology
    Chen, S. C. ; Kay Ming Lee ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 564-567
    Online unknown
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    A K-band differential Colpitts cross-coupled VCO in 0.13μm CMOS
    Chang, Chia-Wei ; Jang, Sheng-Lyang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-09-01), S. 931-934
    Online unknown
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    Nanoscale CMOS: potential nonclassical technologies versus a hypothetical bulk-silicon technology
    Kim, Seung-Hwan ; Fossum, Jerry G.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-04-01), S. 595-605
    Online unknown
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    Architecture optimization of SPAD integrated in 28 nm FD-SOI CMOS technology to reduce the DCR.
    Issartel, D. ; Gao, S. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 191 (2022-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Experimental investigation of factors influencing design of small-signal CMOS amplifiers
    Bryson, Damian ; Motayed, Abhishek ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 45 (2001), S. 63-69
    Online unknown
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    Cascoded LVTSCR with tunable holding voltage for ESD protection in bulk CMOS technology without latchup danger
    Ker, Ming-Dou ; Hun Hsien Chang
    In: Solid-State Electronics, Jg. 44 (2000-03-01), S. 425-445
    Online unknown
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    Characterization of ultralow voltage, fully depleted silicon on insulator CMOS device and circuit technology
    White, Marvin H. ; Dennis A Adams ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 46 (2002-12-01), S. 2307-2313
    Online unknown
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    Monolithically integrated Si/SiGe resonant interband tunnel diode/CMOS demonstrating low voltage MOBILE operation
    Rommel, Sean L. ; Hirschman, Karl D. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-10-01), S. 1907-1910
    Online unknown
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    A physical model for gate-to-body tunneling current and its effects on floating-body PD/SOI CMOS devices and circuits
    Huang, Cheng-Liang ; Yang, Ji-Woon ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-02-01), S. 259-270
    Online unknown
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    CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging.
    Crespo-Yepes, A. ; Nasarre, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 191 (2022-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    academicJournal
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    Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements.
    Crespo-Yepes, A. ; Ramos, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 184 (2021-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
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