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    GaAs on Ge for CMOS : Silicon epitaxy and heterostructures; International conference: ICSI-5
    Brammertz, G. ; Caymax, M. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 517 (2008), Heft 1, S. 148-151
    Konferenz
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    Selective etching of Si1?xGex versus Si with gaseous HCl for the formation of advanced CMOS devices : Silicon epitaxy and heterostructures; International conference: ICSI-5
    Loubet, N. ; Kormann, T. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 517 (2008), Heft 1, S. 93-97
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Addressing materials and integration issues for NiSi silicide contact metallization in nano-scale CMOS devices : Asia-Pacific conference on semiconducting silicides: science and technology towards sustainable optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006)
    Chi, D. Z. ; Lee, R. T. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 515 (2007), Heft 22, S. 8102-8108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of plasma charging-induced white pixel defect increase in CMOS active pixel sensor : International symposium on dry process
    Tokashiki, K. ; Bai, K. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 515 (2007), Heft 12, S. 4864-4868
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Doubling speed using strained Si/SiGe CMOS technology : International conference on silicon epitaxy and hetrostructures (ICSI-4)
    Olsen, S. H. ; Temple, M. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 508 (2006), Heft NO 1-2, S. 338-341
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Work function tuning of metal nitride electrodes for advanced CMOS devices : ICMAT 2005; Materials and Advanced Technologies; Silicon microelectronics: processing to packaging
    Ren, C. ; Faizhal, B. B. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 504 (2006), Heft 1/2, S. 174-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration issues of high-k and metal gate into conventional CMOS technology : ICMAT 2005; Materials and Advanced Technologies; Silicon microelectronics: processing to packaging
    Song, S. C. ; Zhang, Z. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 504 (2006), Heft 1/2, S. 170-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Metal-germanide Schottky Source/Drain transistor on Germanium substrate for future CMOS technology : ICMAT 2005; Materials and Advanced Technologies; Silicon microelectronics: processing to packaging
    Li, R. ; Yao, H. B. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 504 (2006), Heft 1/2, S. 28-31
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    The impact of etch-stop layer for borderless contacts on deep submicron CMOS device performance-a comparative study : International conference on materials for advanced technologies; ICMAT 2003
    Liao, H. ; Lee, P. S. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 462/463 (2004), S. 29-33
    Konferenz
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    Highly conducting doped poly-Si deposited by hot wire CVD and its applicability as gate material for CMOS devices : International conference on Cat-CVD (hot wire CVD) process
    Patil, S. B. ; Vairagar, A. V. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 430 (2003), Heft NOS 1-2, S. 63-66
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Nitrogen dilution effects on structural and electrical properties of hot-wire-deposited a-SiN:H films for deep-sub-micron CMOS technologies : International conference on Cat-CVD (hot wire CVD) process
    Waghmare, P. C. ; Patil, S. B. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 430 (2003), Heft NOS 1-2, S. 189-191
    Konferenz
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    academicJournal
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    Silicon quantum integrated circuits - an attempt to fabricate silicon-based quantum devices using CMOS fabrication techniques : Thin films epitaxial growth and nanostructures
    Paul, D. J. ; Coonan, B. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 336, Heft 1/2, S. 130-136
    Konferenz
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    SOI material qualification for low-power CMOS application : Metallurgical coatings and thin films
    Mendicino, M. A. ; Vasudev, P. K. ; et al.
    In: THIN SOLID FILMS, Jg. 270, Heft 1/2, S. 578-583
    Konferenz
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Complementary ring oscillator fabricated via direct laser-exposure and solution-processing of a single-layer organic film
    LARSEN, Christian ; JIA, WANG ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 520 (2012), Heft 7, S. 3009-3012
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Comparison of Ohmic contact resistances of n- and p-type Ge source/drain and their impact on transport characteristics of Ge metal oxide semiconductor field effect transistors
    OH, Jungwoo ; HUANG, Jeff ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 520 (2011), Heft 1, S. 442-444
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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