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    Advanced salicides for 0.10 μm CMOS : Co salicide processes with low diode leakage and Ti salicide processes with direct formation of low resistivity C54 TiSi2
    KITTL, J. A ; HONG, Q. Z ; et al.
    In: International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films, Jg. 332 (1998), Heft 1-2, S. 404-411
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application
    MORIMOTO, Rui ; YOKOMORI, Chisato ; et al.
    In: Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002, Jg. 430 (2003), Heft 1-2, S. 230-235
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Comparison of lateral and vertical Si-MOSFETs with ultra short channels
    BEHAMMER, D ; ZEUNER, M ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium D: Thin Films Epitaxial Growth and Nanostructures, Jg. 336 (1998), Heft 1-2, S. 313-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -