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    Doubling speed using strained Si/SiGe CMOS technology
    Olsen, Sarah H. ; Temple, Matthew ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 508 (2006-06-05), Heft 1/2, S. 338-341
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application
    Morimoto, Rui ; Yokomori, Chisato ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 430 (2003-04-22), Heft 1/2, S. 230-235
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparison of Ohmic contact resistances of n- and p-type Ge source/drain and their impact on transport characteristics of Ge metal oxide semiconductor field effect transistors
    Oh, Jungwoo ; Huang, Jeff ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 520 (2011-10-31), Heft 1, S. 442-444
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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