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    Integration issues of high-k and metal gate into conventional CMOS technology
    SONG, S. C ; ZHANG, Z ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 170-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Work function tuning of metal nitride electrodes for advanced CMOS devices
    REN, C ; FAIZHAL, B. B ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 174-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Doubling speed using strained Si/SiGe CMOS technology
    OLSEN, Sarah H ; TEMPLE, Matthew ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 338-341
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Study of plasma charging-induced white pixel defect increase in CMOS active pixel sensor
    TOKASHIKI, Ken ; BAI, Keunhee ; et al.
    In: Proceedings of the International Symposium on Dry Process (DPS 2005), Jeju, Korea, November 28-30, Jg. 515 (2007), Heft 12, S. 4864-4868
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The impact of etch-stop layer for borderless contacts on deep submicron CMOS device performance: a comparative study
    LIAO, H ; LEE, P. S ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2003), Symposium L: Advances in Materials for Si Microelectronics-From Processing to Packaging, Jg. 462-63 (2004), S. 29-33
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Addressing materials and integration issues for NiSi silicide contact metallization in nano-scale CMOS devices
    CHI, D. Z ; LEE, R. T. P ; et al.
    In: Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006), July 29-31, Jg. 515 (2007), Heft 22, S. 8102-8108
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Metal-germanide Schottky Source/Drain transistor on germanium substrate for future CMOS technology
    RUI, LI ; YAO, H. B ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 28-31
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Advanced salicides for 0.10 μm CMOS : Co salicide processes with low diode leakage and Ti salicide processes with direct formation of low resistivity C54 TiSi2
    KITTL, J. A ; HONG, Q. Z ; et al.
    In: International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films, Jg. 332 (1998), Heft 1-2, S. 404-411
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Highly conducting doped poly-Si deposited by hot wire CVD and its applicability as gate material for CMOS devices
    PATIL, Samadhan B ; VAIRAGAR, Anand V ; et al.
    In: Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002, Jg. 430 (2003), Heft 1-2, S. 63-66
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Silicon quantum integrated circuits : an attempt to fabricate silicon-based quantum devices using CMOS fabrication techniques
    PAUL, D. J ; COONAN, B ; et al.
    In: E-MRS Spring Conference, Symposium D: Thin Films Epitaxial Growth and Nanostructures, Jg. 336 (1998), Heft 1-2, S. 130-136
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Nitrogen dilution effects on structural and electrical properties of hot-wire-deposited a-SiN:H films for deep-sub-micron CMOS technologies
    WAGHMARE, Parag C ; PATIL, Samadhan B ; et al.
    In: Proceedings of the Second International Conference on Cat-CVD (Hot Wire CVD) Process, Denver, Colorado, USA, September 10-13, 2002, Jg. 430 (2003), Heft 1-2, S. 189-191
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A study of buried layer formation using MeV ion implantation for the fabrication of ULSI CMOS devices
    RO, J.-S
    In: Thin solid films, Jg. 349 (1999), Heft 1-2, S. 130-134
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Fabrication of extremely thin silicon on insulator for fully-depleted CMOS applications
    BINDAL, A ; ROVEDO, N ; et al.
    In: Thin solid films, Jg. 232 (1993), Heft 1, S. 105-109
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Localized germanium-on-insulator patterns on Si by novel etching scheme in CF4/O2 plasma
    RAMANA MURTHY, B ; BALASUBRAMANIAN, N ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 77-80
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Integrated process of photoresist trimming and dielect hard mask etching for sub-50 nm gate patterning
    BLIZNETSOV, Vladimir ; KUMAR, Rakesh ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 117-120
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Si microphotonics for optical interconnection
    WADA, K ; AHN, D. H ; et al.
    In: Proceedings of the Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, Hyogo, Japan, Jg. 508 (2006), Heft 1-2, S. 418-421
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Development of plasma etching process for sub-50 nm TaN gate
    BLIZNETSOV, Vladimir ; KUMAR, Rakesh ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 140-144
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Oxide-mediated formation of epitaxy silicide on heavily doped Si surfaces and narrow width active region
    CHEN, Yen-Ming ; TU, George C ; et al.
    In: Proceedings of the Third Asian conference on chemical vapor deposition (third Asian-CDV), Taipei, Taiwan, November 12-14, 2004, Jg. 498 (2006), Heft 1-2, S. 90-93
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Expectation for Cat-CVD in ULSI technology and business trend
    AKASAKA, Yoichi
    In: Proceedings of the Third International Conference on Hot-Wire CVD (Cat-CVD) Process, Utrecht, The Netherlands, August 23-27, 2004, Jg. 501 (2006), Heft 1-2, S. 15-20
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of silicidation on the electrical characteristics of polycrystalline-SiGe Schottky diode
    SOHO, A. R ; CHATTOPADHYAY, S ; et al.
    In: Proceedings of the International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium H: Silicon microelectronics: processing to packaging, Singapore, July 3-8, Jg. 504 (2006), Heft 1-2, S. 86-90
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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