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    Optimization of sub-100 nm [GAMMA]-gate Si-MOSFETs for RF applications: the [GAMMA]-gate MOSFET offers the advantage of reduced gate resistance, a critical parameter in high frequency circuits. Identifying the optimum [GAMMA]-gate extension length from the gate and drain resistance point of view, is an essential design parameter in today's aggressively scaled CMOS
    Gupta, Mayank ; Vidya, V. ; et al.
    In: Wireless Design & Development, Jg. 14 (2006), Heft 1, S. 32-35
    Online serialPeriodical
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    Integrating next gen CMOS designs in GSM front-ends: today's handsets require an RF front-end that can select between transmit and receive, as well as select different frequency bands. New processes remove the size and bulk associated with traditional switching devices
    Kelly, Dylan
    In: Wireless Design & Development, Jg. 12 (2004-09-01), Heft 9, S. 18-21
    Online serialPeriodical
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    CMOS-based digital step attenuator designs: DSAs are an elegant, natural interface between an A/D converter and the outside world
    Baker, Ray
    In: Wireless Design & Development, Jg. 12 (2004-05-01), Heft 5, S. 46-49
    Online serialPeriodical
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    CMOS-based RF integration in 3G: CMOS now offers compelling advantages as a development platform for highly integrated next generation multi mode, multifunction transceivers
    Fan, Robert
    In: Wireless Design & Development, Jg. 13 (2005-08-01), Heft 8, S. 30-32
    Online serialPeriodical
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    Analog Devices: CMOS Switch
    In: Wireless Design & Development, Jg. 9 (2001-08-01), Heft 8, S. 27
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    Space Electronics: CMOS SRAM
    In: Wireless Design & Development, Jg. 9 (2001-09-01), Heft 9, S. 52
    Online serialPeriodical
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    Chipcon AS: Low Power CMOS RF Transceiver
    In: Wireless Design & Development, Jg. 9 (2001-08-01), Heft 8, S. 47
    Online serialPeriodical
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    CMOS Bluetooth RFIC Design Considerations
    Notor, John
    In: Wireless Design & Development, Jg. 9 (2001-08-01), Heft 8, S. 20
    Online serialPeriodical
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    Reducing the cost of wireless LAN chipsets: dual-band WLAN chipset cost can be reduced by integrating a MAC/modem, zero-IF CMOS radio. (Wireless LANs)
    Saidi, Morteza ; Fan, Robert
    In: Wireless Design & Development, Jg. 10 (2002-10-01), Heft 10, S. 34-35
    Online serialPeriodical
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    UWB ICs utilize 65 nm CMOS technology
    In: Wireless Design & Development, Jg. 16 (2008-10-01), Heft 10, S. 10-10
    serialPeriodical
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    CMOS image sensor
    In: Wireless Design & Development, Jg. 15 (2007-04-01), Heft 4, S. 10-10
    serialPeriodical
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    RF CMOS 90-nanometer transceiver
    In: Wireless Design & Development, Jg. 15 (2007-02-01), Heft 2, S. 8-8
    serialPeriodical
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    Quad-band CMOS transceiver
    In: Wireless Design & Development, Jg. 14 (2006), Heft 1, S. 8-8
    Online serialPeriodical
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    CMOS image sensor
    In: Wireless Design & Development, Jg. 13 (2005-09-01), Heft 9, S. 14-14
    Online serialPeriodical
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    CMOS-based RF tuner
    In: Wireless Design & Development, Jg. 13 (2005-08-01), Heft 8, S. 44-44
    Online serialPeriodical
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    Design kit for CMOS
    In: Wireless Design & Development, Jg. 13 (2005-08-01), Heft 8, S. 41-41
    Online serialPeriodical
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    Direct connect CMOS-based antenna switches
    In: Wireless Design & Development, Jg. 12 (2004-12-01), Heft 12, S. 50-50
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    CMOS transceivers
    In: Wireless Design & Development, Jg. 12 (2004-10-01), Heft 10, S. 44-44
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    RF CMOS devices
    In: Wireless Design & Development, Jg. 12 (2004-09-01), Heft 9, S. 16-16
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    Evaluation kit for CMOS transceiver
    In: Wireless Design & Development, Jg. 12 (2004-03-01), Heft 3, S. 42-42
    Online serialPeriodical
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