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    考慮高介電係數閘極介電層之100奈米絕緣體上矽金氧半元件之電容分析 ; Analysis of Capacitance Behavior in 100 nm SOI CMOS VLSI Devices with High-K Gate Dielectrics
    林育生 ; Lin, Yu-Sheng ; et al.
    2005
    Online Hochschulschrift
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    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    絕緣體上矽互補式金氧半元件電容特性之二維和三維分析 ; Analysis of Capacitance Behavior in SOI CMOS Devices Using 2D and 3D Simulation
    林桂萱 ; Lin, Guei-Syuan ; et al.
    2005
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of the Gate–Source/Drain Capacitance Behavior of a Narrow-Channel FD SOI NMOS Device Considering the 3-D Fringing Capacitances Using 3-D Simulation
    Chen, Chien-Chung ; Kuo, James B. ; et al.
    In: http://ieeexplore.ieee.org/, 2006
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    金氧半場效電晶體之電容行為及閘極穿遂電流模型分析 ; Modeling of MOSFET Devices : capacitance behavior analysis and gate tunneling current model
    林家弘 ; Lin, Chia-Hung ; et al.
    2006
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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