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    Mitigation of Parasitic Light Sensitivity in Global Shutter CMOS Image Sensors Through Use of Correction Frame.
    Marcelot, O. ; Pace, F. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-09-01), Heft 9, S. 4491-4496
    Online academicJournal
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    A Dual NIR-Band Lock-In Pixel CMOS Image Sensor With Device Optimizations for Remote Physiological Monitoring.
    Cao, Chen ; Dutta, Jaydeep Kumar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), Heft 4, S. 1688-1693
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Scalable 300-GHz Multichip Stitched CMOS Detector Array.
    Song, Kiryong ; Kim, Doyoon ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 70 (2022-03-01), Heft 3, S. 1797-1809
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    A Two-Tap Indirect Time-of-Flight CMOS Image Sensor With Pump Gate Modulator for Low-Power Applications.
    Zhang, Bing ; Hu, Congzhen ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-06-01), Heft 6, S. 2858-2864
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Annealing Effects on Radiation-Hardened CMOS Image Sensors Exposed to Ultrahigh Total Ionizing Doses.
    Dewitte, H. ; Rizzolo, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1284-1292
    Online academicJournal
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    Ambient Temperature-Induced Device Self-Heating Effects on Multi-Fin Si CMOS Logic Circuit Performance in N-14 to N-7 Scaled Technologies.
    Venkateswarlu, Sankatali ; Nayak, Kaushik
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-04-01), Heft 4, S. 1530-1536
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A Radiation-Hardened CMOS Image Sensor With Pixels Exhibiting a Negligibly Small Dark-Level Increase During Ionizing Radiation.
    Watanabe, Takashi ; Takeuchi, Tomoaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-08-01), Heft 8, S. 1835-1845
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    High Displacement Damage Dose Effects in Radiation Hardened CMOS Image Sensors.
    Rizzolo, Serena ; Le Roch, Alexandre ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 67 (2020-07-01), Heft 7, S. 1256-1262
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    On Border Traps in Back-Side-Illuminated CMOS Image Sensor Oxides.
    Vici, Andrea ; Russo, Felice ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-05-01), Heft 5, S. 2022-2027
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Optimization of Photodiode Design Through Analysis of Full-Well Capacity and Image Lag in 0.5 μ m CMOS Image Sensors With Vertical Transfer Gates.
    Park, Jae Hyeon ; Suk, Chan Hee ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 43 (2022-10-01), Heft 10, S. 1697-1700
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Efficient 60-GHz Power Amplifier With Adaptive AM-AM and AM-PM Distortions Compensation in 65-nm CMOS Process.
    Jung, Kyung Pil ; Son, Hyuk Su ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 68 (2020-07-01), Heft 7, S. 3045-3055
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Figures of Merit for CMOS Low-Noise Amplifiers and Estimates for Their Theoretical Limits.
    Belostotski, Leonid ; Klumperink, Eric A. M.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 734-738
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Compact Single-Transistor Current Source for Analog Design in Nanometer Digital CMOS.
    Bai, Chunfeng ; Qiao, Donghai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits & Systems. Part II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-12-01), Heft 12, S. 3508-3512
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Transformer-Based Predistortion Linearizer for High Linearity and High Modulation Efficiency in mm-Wave 5G CMOS Power Amplifiers.
    Ali, Sheikh Nijam ; Agarwal, Pawan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, Jg. 67 (2019-07-01), Heft 7, S. 3074-3087
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Stochastic Propagation Delay Through a CMOS Inverter as a Consequence of Stochastic Power Supply Voltage—Part I: Model Formulation.
    Dietz, David
    In: IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, Jg. 61 (2019-02-01), Heft 1, S. 226-232
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A High Dynamic Range 128 × 120 3-D Stacked CMOS SPAD Image Sensor SoC for Fluorescence Microendoscopy.
    Erdogan, Ahmet T. ; Al Abbas, Tarek ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-06-01), Heft 6, S. 1649-1660
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design Insights of Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications at 5-nm Technology Node.
    Sreenivasulu, V. Bharath ; Narendar, Vadthiya
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4115-4122
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fabrication and Analysis of Vertical Thin Poly-Si Channel Transfer Gate Pixels for a 3-D CMOS Image Sensor.
    Park, Sung-Kun ; Song, Il-Ho ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-07-01), Heft 7, S. 2917-2924
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A CMOS-Process-Compatible Low-Voltage Junction-FET With Adjustable Pinch-Off Voltage.
    Nidhi, Karuna ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-07-01), Heft 7, S. 2812-2819
    Online academicJournal
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    Integrated Digital and Analog Circuit Blocks in a Scalable Silicon Carbide CMOS Technology.
    Romijn, Joost ; Vollebregt, Sten ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022), Heft 1, S. 4-10
    Online academicJournal
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