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    Design and Simulation of VCO for RF Transceivers with Low Power, Low Phase Noise and Wider Tuning Range using Silterra 130nm CMOS Technology ... : تصميم ومحاكاة VCO لأجهزة إرسال واستقبال الترددات اللاسلكية ذات الطاقة المنخفضة والضوضاء المنخفضة ونطاق الضبط الأوسع باستخدام تقنية Silterra 130nm CMOS ...
    Mohammed, Yakubu ; N., O ; et al.
    2024
    academicJournal
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    Low Voltage High Performance CMOS Current Mode Four-Quadrant Analog Multiplier Circuit ... : الجهد المنخفض والأداء العالي سيموس الوضع الحالي أربعة رباعي الدائرة المضاعف التناظرية ...
    Ettaghzouti, T. ; Khlaifia, D. ; et al.
    2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    (Invited) Low Frequency Noise Performance of State-of-the-Art and Emerging CMOS Devices : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Claeys, C. ; Aoulaiche, M. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 567-580
    Konferenz
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A Compact CMOS 3-D Magnetic Field Sensor : Dielectrics for nanosystems: materials science, processing, reliability and manufacturing; -and- Tutorials in nanotechnology : more than Moore - beyond CMOS emerging materials and devices
    Wang, G. ; Misra, D.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 45 (2012), Heft 3, S. 543-558
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A Compact and High-Resolution CMOS Switch-Type Phase Shifter Achieving 0.4-dB RMS Gain Error for 5G n260 Band
    Pang, Jian ; Jian, Pang ; et al.
    In: IEICE Transactions on Electronics, 2022-03-01, Heft No. 3, S. 102-109
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    CMOS voltage-controlled oscillator with high-performance MEMS tunable inductor
    Chae, Uikyu ; Park, Jeongsoo ; et al.
    In: Micro and Nano Systems Letters, Jg. 9 (2021-11-01), Heft 1, S. 1-7
    Online unknown
    Zugriff:
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Study of CMOS Sensing System for Radon and Alpha Radiation
    Nemirovsky, Yael ; Shor, Roy
    In: Radiation, Jg. 1 (2021-09-01), Heft 21, S. 250-260
    Online unknown
    Zugriff:
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A low power and soft error resilience guard‐gated Quartro‐based flip‐flop in 45 nm CMOS technology
    Sabavat Satheesh Kumar ; Blaabjerg, Frede ; et al.
    In: IET Circuits, Devices and Systems, Jg. 15 (2021-09-01), Heft 6, S. 571-580
    Online unknown
    Zugriff:
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    A 22-nm FDSOI CMOS Low Noise active balun achieving < -44-dBc HD3 up to 1.5-V p-p output swing over 0.01-5.4-GHz for direct RF sampling applications
    Anoop Narayan Bhat ; Ronan A.R. van der Zee ; et al.
    2022
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A CMOS SPDT RF Switch with 68-dB Isolation and 1.0-dB Loss Feathering Switched Resonance Network for MIMO Applications
    Fu, Xi ; Wang, Yun ; et al.
    In: IEICE Transactions on Electronics, 2021-07-01, Heft No. 7, S. 280-288
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ultra‐low power TIA with variable bandwidth in 0.13 μm CMOS for short‐range optical interconnects
    Hashmi, Mohammad S. ; Ikechi Augustine Ukaegbu ; et al.
    In: The Journal of Engineering, Jg. 2021 (2021-05-01), Heft 5, S. 295-300
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Single chip integration of MWCNTs/SiO2 thin film humidity sensor based on standard CMOS IC process
    TUO, LI ; XIAOWEI, LIU ; et al.
    In: Micro/Nano Devices and Systems 2013: An open thematic journal issue, Jg. 119 (2014), S. 155-158
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Silicon nanowires integrated with CMOS circuits for biosensing application
    JAYAKUMAR, G ; ASADOLLAHI, A ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 98 (2014), S. 26-31
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
    Salvador Pinillos Gimenez ; Renaux, Christian ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 415-423
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Analysis of Transfer Gate Doping Profile Influence on Dark Current and FWC in CMOS Image Sensors
    Xu, Jiangtao ; Gao, Zhiyuan ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 27-35
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Carbon Nanotube-Based CMOS Gas Sensor IC: Monolithic Integration of Pd Decorated Carbon Nanotube Network on a CMOS Chip and Its Hydrogen Sensing
    SUNG MIN, SEO ; JUN HO, CHEON ; et al.
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 58 (2011), Heft 10, S. 3604-3608
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS-Compatible Electronic–Plasmonic Transducers Based on Plasmonic Tunnel Junctions and Schottky Diodes
    Chu, Hong-Son ; Wang, Fangwei ; et al.
    2022
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    E‐band broadband digital controlled phase‐inverting variable gain amplifier in 65‐nm CMOS
    Feng, Yikun ; Zhao, Dixian
    In: Electronics Letters, Jg. 57 (2021-02-01), Heft 4, S. 179-182
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The influence of high ionizing dose rate on CMOS IC radiation hardness used in da-ta transmission elements
    Kalashnikov, Vladislav D. ; Balamutov, Pavel A. ; et al.
    In: Bezopasnostʹ Informacionnyh Tehnologij, Jg. 27 (2020-09-01), Heft 3, S. 98-103
    Online unknown
    Zugriff:
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Graphene Nanoribbon Spin Interconnects for Nonlocal Spin-Torque Circuits: Comparison of Performance and Energy Per Bit With CMOS Interconnects
    RAKHEJA, Shaloo ; NAEEMI, Azad
    In: I.E.E.E. transactions on electron devices, Jg. 59 (2012), Heft 1, S. 51-59
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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