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    Croissance épitaxique de GaAs1-xPx (0<x<0.6) par OM-CVD à partir du complexe ClEt2Ga•AsEt3 et de la diéthyl phosphine: une source de phosphore originale HPEt2
    Epitaxial growth of GaAs1-xPx (0<x<0.6) by OM-CVD from ClEt2Ga•AsEt3 complex and diethyl phosphine: an original phosphorus source HPEt2
    In: Journal of crystal growth, Jg. 62 (1983), Heft 3, S. 568-576
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effet des conditions expérimentales sur la CVD réactive de couches minces de TiC sur carbone / Experimental conditions effect on reactive CVD of TiC thin films ou carbon
    VINCENT, C ; DAZORD, J ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 96 (1989), Heft 4, S. 871-880
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CVD réactive de SiC graphite; comparaison entre résultats expérimentaux et prévisions thermodynamiques / Reactive CVD of SiC on graphite: comparison between experimental results and thermodynamic prevision
    VINCENT, H ; PONTHENIER, J.-L ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 92 (1988), Heft 3-4, S. 553-570
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Traitement de surface des fibres de bore: CVD de TiB2 à partir d'un mélange TiCl4-H2 / Surface treatment of boron fibers: CVD of TiB2 from TiCl4-H2 mixture
    VINCENT, H ; BOUBEHIRA, M ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 75 (1986), Heft 3, S. 504-512
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Croissance d'InP par épitaxie vapeur organométallique
    Growth of InP by organometallic vapor epitaxy
    In: Journal of crystal growth, Jg. 63 (1983), Heft 1, S. 111-115
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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