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169 Treffer

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    Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS
    Labalette, Marina
    2018
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Développement de transistor AlGaN/GaN E-mode sur substrat silicium 200 mm compatible avec une salle blanche CMOS
    Barranger, Damien
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Improvement of detection efficiency in near infrared of the photodetectors SPAD in a CMOS FD-SOI technology ; Amélioration de l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de photodétecteurs de type SPAD intégrés dans une technologie CMOS FD-SOI
    Gao, Shaochen ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04246474 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ISAL0032⟩, 2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Amélioration de l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de photodétecteurs de type SPAD intégrés dans une technologie CMOS FD-SOI ; Improvement of detection efficiency in near infrared of the photodetectors SPAD in a CMOS FD-SOI technology
    Gao, Shaochen ; Lyon, INSA ; et al.
    2023
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Caractérisation d'une caméra rapide CMOS pour la détection d'impulsions lumineuses brèves : La cinématographie ultra rapide / Characterization of fast CMOS camera for detection of brief light pulses
    CASADEI, B ; HUSSON, D ; et al.
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2003, Heft 5, S. 33-38
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Implémentation de diode à avalanche à photon unique (SPAD) dans une technologie CMOS FD-SOI 28nm
    Issartel, Dylan ; STAR, ABES
    2021
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Intégration hybride de transistors à un électron sur un noeud technologique CMOS
    Jouvet, Nicolas
    2012
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Défis et méthodologie du développement des technologies CMOS avancées : La technologie microélectronique / Challenges and methodology for developing advanced CMOS technologies
    BOEUF, Frédéric ; ARNAUD, Franck
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2007, Heft 8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reconnaissance de visages par capteur CMOS : Imagerie : dualité CMOS-CCD / Face recognition using CMOS sensor
    PAINDAVOINE, M ; YANG, F ; et al.
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2002, Heft 10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Développement de capteurs d'images CMOS dédiés aux applications spatiales : Imagerie : dualité CMOS-CCD / Development of CMOS image sensors for space applications
    MAGNAN, P ; SAINT-PE, O
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2002, Heft 10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Les États-Unis préparent l'ère post-CMOS / United-States are preparing the post-CMOS era
    OSWALD, Marilyne ; OCHOA, Daniel ; et al.
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 2008, Heft 145, S. 11-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 3.3-V 240-MS/s CMOS bandpass ΣΔ modulator using a fast-settling double-sampling SC filter
    CHEUNG, Vincent S. L ; LUONG, Howard C
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 84-87
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 1-V 9.7-mW CMOS Frequency Synthesizer for IEEE 802.11a Transceivers
    LEUNG, Lincoln Lai Kan ; LUONG, Howard C
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 56 (2008), Heft 1, S. 39-48
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Single Photon Avalanche Diode (SPAD) implementation in 28nm FD-SOI CMOS Technology ; Implémentation de diode à avalanche à photon unique (SPAD) dans une technologie CMOS FD-SOI 28nm
    Issartel, Dylan ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03670871 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon, 2021. Français. ⟨NNT : 2021LYSEI090⟩, 2021
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Implémentation de diode à avalanche à photon unique (SPAD) dans une technologie CMOS FD-SOI 28nm ; Single Photon Avalanche Diode (SPAD) implementation in 28nm FD-SOI CMOS Technology
    Issartel, Dylan ; Lyon ; et al.
    2021
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    3D integration of complementary resistive switching devices in CMOS back end of line
    LABALETTE, Marina ; STAR, ABES ; et al.
    2018
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effet tunnel dans la diode émetteur/base d'un transistor bipolaire compatible CMOS dédié à la RF / Tunneling in an emitter diode developed for a CMOS compatible bipolar structure for radiofrequency
    LATRECHE, S ; GONTRAND, C
    In: Physica status solidi. B. Basic research, Jg. 214 (1999), Heft 1, S. 203-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Circuits intégrés CMOS sur silicium / Integrated CMOS circuits on silicon
    SKOTNICKI, Thomas
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2000), Heft E2432, S. E2432.1
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Une rétine électronique CMOS pour le traitement d'images binaires par relaxation stochastique
    CMOS electronic retina for binary image processing by stochastic relaxation
    In: Revue roumaine des sciences techniques. Electrotechnique et énergétique, Jg. 41 (1996), Heft 4, S. 491-499
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    L'avenir de la technologie CMOS de la microélectronique à la nanoelectronique
    DELEONIBUS, S
    In: Le vide et ses intervenants : Guide à l'usage des utilisateurs du vide. Edition 2000, 2000, S. 122-125
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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