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    Défis et méthodologie du développement des technologies CMOS avancées : La technologie microélectronique / Challenges and methodology for developing advanced CMOS technologies
    BOEUF, Frédéric ; ARNAUD, Franck
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2007, Heft 8
    academicJournal
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    Les États-Unis préparent l'ère post-CMOS / United-States are preparing the post-CMOS era
    OSWALD, Marilyne ; OCHOA, Daniel ; et al.
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 2008, Heft 145, S. 11-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    A 3.3-V 240-MS/s CMOS bandpass ΣΔ modulator using a fast-settling double-sampling SC filter
    CHEUNG, Vincent S. L ; LUONG, Howard C
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 84-87
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A 1-V 9.7-mW CMOS Frequency Synthesizer for IEEE 802.11a Transceivers
    LEUNG, Lincoln Lai Kan ; LUONG, Howard C
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 56 (2008), Heft 1, S. 39-48
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Circuits intégrés CMOS sur silicium / Integrated CMOS circuits on silicon
    SKOTNICKI, Thomas
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2000), Heft E2432, S. E2432.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Circuits intégrés CMOS pour 40 volts à applications spécifiques / 40 volts CMOS integrated circuits for specific applications
    WIKLUND, P.-J ; JOHANSSON, C ; et al.
    In: Revue ABB, 1995, Heft 4, S. 14-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Le test paramétrique: un outil essentiel pour le développemnt de technologies CMOS et biCMOS / Le test paramétrique: un outil essentiel pour le développement de technologie CMOS et biCMOS
    TERNISIEN D'OUVILLE, T
    In: Echo des recherches (Ed. française), 1994, Heft 156, S. 27-40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    La technologie CMOS submicronique indispensable à l'intégration d'un système sur une puce
    LAES, E
    In: Maîtriser la technologie des composants, 1996, Heft 2, S. 130-137
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Circuit universel d'interface de ligne d'abonné à tension élevée associant les technologies CMOS, DMOS et bipolaire / Interface circuit of high voltage suscriber line in CMOS, DMOS and bipolar technologies
    MOONS, E ; OP DE BEECK, E ; et al.
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 65 (1992), Heft 2, S. 112-118
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Evaluation dynamique et optimisation des structures CMOS VLSI / Dynamic evaluation and optimization of VLSI CMOS structures
    AUVERGNE, D ; AZEMARD, N ; et al.
    In: TSI. Technique et science informatiques, Jg. 8 (1989), Heft 6, S. 593-607
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Technologie silicium sur isolant (SOI) / Silicon on insulator technology (SOI)
    CRISTOLOVEANU, Sorin ; BALESTRA, Francis
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2380, S. E2380.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Dopage laser en microélectronique / Laser doping in microelectronics
    SARNET, T ; HERNANDEZ, M ; et al.
    In: 8ème Colloque national sur les sources cohérentes et incohérentes UV, VUV, Jg. 138 (2006), S. 203-212
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Les « systèmes sur puce » au Japon / Systems on a chip in Japan
    METOU, Alfred
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 2006, Heft 128, S. 33-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Comportement des composants logiques soumis à l'accumulation de perturbations induites par diaphonie interne et par des champs em extérieurs : La CEM dans les circuits intégrés / Behaviour of logic components under the influence of internal crosstalk and external electromagnetic fields : EMC in integrated circuits
    BENBASSOU, A ; RIFI, M ; et al.
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2000, Heft 7, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Caractérisation et propriétés physiques des défauts induits dans les transistors MOS submicroniques par injections de porteurs chauds
    Characterization and physical properties of induced defects in submicrometer MOS transistors by hot-carrier injections
    In: Journal de physique 3, Applied physics, materials science, fluids, plasma and instrumentation, Jg. 2 (1992), Heft 5, S. 777-804
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Méthodologie de conception de circuits intégrés basse consommation / Methodology of low power integrated circuit design
    SENTIEYS, O ; COUSIN, J.-G ; et al.
    In: Electronique, informatique embarquées : méthodes, outils, applications (Brest, 8-9 octobre 1998), 1998
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Du transistor aux nanotubes : Nanosciences et Radioélectricité / Feature : Nanotechnology & radiofrequency from transistor to nanotube
    BOUDENOT, Jean-Claude
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2007, Heft 8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Test des circuits intégrés numériques: Notions de base. Génération de vecteurs / Digital integrated circuits testing : Basic notions. Vector generation
    LEVEUGLE, Régis
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2460, S. E2460.1
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    ASICS et logiciels CAO associés / ASICS and associated CAO softwares
    ROBERT, Michel
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2492, S. E2492.1
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) / III-V heterostructures-based transistors and integrated circuits
    BON, Michel ; SCAVENNEC, André
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (1999), Heft E2450, S. E2450.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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