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    Conception d'un ADC de résolution 8 bits basse consommation et 2 GHz de fréquence d'échantillonnage en technologie CMOS 180 nm
    Puech, Gabriel
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
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    Défis et méthodologie du développement des technologies CMOS avancées : La technologie microélectronique / Challenges and methodology for developing advanced CMOS technologies
    BOEUF, Frédéric ; ARNAUD, Franck
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2007, Heft 8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Les États-Unis préparent l'ère post-CMOS / United-States are preparing the post-CMOS era
    OSWALD, Marilyne ; OCHOA, Daniel ; et al.
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 2008, Heft 145, S. 11-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    A 3.3-V 240-MS/s CMOS bandpass ΣΔ modulator using a fast-settling double-sampling SC filter
    CHEUNG, Vincent S. L ; LUONG, Howard C
    In: 2004 Symposium on VLSI Circuits (digest of technical papers), 2003, S. 84-87
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A 1-V 9.7-mW CMOS Frequency Synthesizer for IEEE 802.11a Transceivers
    LEUNG, Lincoln Lai Kan ; LUONG, Howard C
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 56 (2008), Heft 1, S. 39-48
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Circuits intégrés CMOS sur silicium / Integrated CMOS circuits on silicon
    SKOTNICKI, Thomas
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2000), Heft E2432, S. E2432.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design of an 8 bit low power 2 GHz sampling rate ADC on 180 nm CMOS process
    Puech, Gabriel ; Laboratoire de Physique de Clermont (LPC) ; et al.
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Circuits intégrés CMOS pour 40 volts à applications spécifiques / 40 volts CMOS integrated circuits for specific applications
    WIKLUND, P.-J ; JOHANSSON, C ; et al.
    In: Revue ABB, 1995, Heft 4, S. 14-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Le test paramétrique: un outil essentiel pour le développemnt de technologies CMOS et biCMOS / Le test paramétrique: un outil essentiel pour le développement de technologie CMOS et biCMOS
    TERNISIEN D'OUVILLE, T
    In: Echo des recherches (Ed. française), 1994, Heft 156, S. 27-40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    La technologie CMOS submicronique indispensable à l'intégration d'un système sur une puce
    LAES, E
    In: Maîtriser la technologie des composants, 1996, Heft 2, S. 130-137
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Circuit universel d'interface de ligne d'abonné à tension élevée associant les technologies CMOS, DMOS et bipolaire / Interface circuit of high voltage suscriber line in CMOS, DMOS and bipolar technologies
    MOONS, E ; OP DE BEECK, E ; et al.
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 65 (1992), Heft 2, S. 112-118
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Conception d'un ADC de résolution 8 bits basse consommation et 2 GHz de fréquence d'échantillonnage en technologie CMOS 180 nm ; Design of an 8 bit low power 2 GHz sampling rate ADC on 180 nm CMOS process
    Puech, Gabriel ; Université Clermont Auvergne‎ (2017-2020) ; et al.
    2017
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Design of an 8 bit low power 2 GHz sampling rate ADC on 180 nm CMOS process ; Conception d'un ADC de résolution 8 bits basse consommation et 2 GHz de fréquence d'échantillonnage en technologie CMOS 180 nm
    Puech, Gabriel ; Laboratoire de Physique de Clermont (LPC) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-01844086 ; Electronique. Université Clermont Auvergne [2017-2020], 2017. Français. ⟨NNT : 2017CLFAC094⟩, 2017
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Mise au point d'une bibliothèque de cellules CMOS à 3 microns / Development of a 3 μm CMOS cell library
    LINCOLN, C. P
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 58 (1984), Heft 3-4, S. 384-388
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Evaluation dynamique et optimisation des structures CMOS VLSI / Dynamic evaluation and optimization of VLSI CMOS structures
    AUVERGNE, D ; AZEMARD, N ; et al.
    In: TSI. Technique et science informatiques, Jg. 8 (1989), Heft 6, S. 593-607
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Mesure de coefficient de qualité d'un micro résonateur dans le domaine temporel: Étude de la réalisation en circuit intégré.
    Ren, Xiaojiao ; Zhang, Ming ; et al.
    In: Instrumentation, Mesures, Métrologies, Jg. 15 (2016-07-01), Heft 3-4, S. 139-152
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Développement de circuits logiques programmables résistants aux alas logiques en technologie CMOS submicrométrique
    Bonacini, S. ; Torella, Lucie
    2007
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Development of Single-Event Upset hardened programmable logic devices in deep submicron CMOS ; Développement de circuits logiques programmables résistants aux aléas logiques en technologie CMOS submicrométrique
    Bonacini, S. ; European Organization for Nuclear Research (CERN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00192815 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG, 2007. Français. ⟨NNT : ⟩, 2007
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Technologie silicium sur isolant (SOI) / Silicon on insulator technology (SOI)
    CRISTOLOVEANU, Sorin ; BALESTRA, Francis
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2380, S. E2380.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A new model for codiffusion in polycrystalline silicon specified to BiCMOS technology. (French)
    Gontrand, C. ; Haddab, Y. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 10 (1995-10-01), S. 1393-1403
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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