Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
93 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

93 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Conception, fabrication et caractérisation de lentilles planaires nano-structurées dédiées aux capteurs d'images CMOS dans le proche-infrarouge
    Lopez, Thomas
    2016
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Analyse de l’augmentation et de la fluctuation discrète du courant d’obscurité des imageurs CMOS dans les environnements radiatifs spatiaux et nucléaires
    Le Roch, Alexandre ; Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace ; et al.
    2020
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Development of isotropic etching processes of silicon to silicon-germanium for sub 10nm CMOS applications
    Rachidi, Sana ; STAR, ABES ; et al.
    2020
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Etude, applications et améliorations de la technique LVI sur les défauts rencontrés dans les technologies CMOS avancées 45nm et inférieur.
    Celi, Guillaume
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Effet tunnel dans la diode émetteur/base d'un transistor bipolaire compatible CMOS dédié à la RF / Tunneling in an emitter diode developed for a CMOS compatible bipolar structure for radiofrequency
    LATRECHE, S ; GONTRAND, C
    In: Physica status solidi. B. Basic research, Jg. 214 (1999), Heft 1, S. 203-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Development of isotropic etching processes of silicon to silicon-germanium for sub 10nm CMOS applications. ; Développement de procédés de gravure isotrope de Silicium sélectivement au silicium Germanium pour des applications CMOS sub 10nm
    Rachidi, Sana ; Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03097358 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2020. Français. ⟨NNT : 2020GRALT030⟩, 2020
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Analyse de l’augmentation et de la fluctuation discrète du courant d’obscurité des imageurs CMOS dans les environnements radiatifs spatiaux et nucléaires ; Analysis of the dark current increase and its fluctuations in CMOS imagers operated in space and nuclear radiative environments
    Le Roch, Alexandre ; Toulouse, ISAE ; et al.
    2020
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Développement de procédés de gravure isotrope de Silicium sélectivement au silicium Germanium pour des applications CMOS sub 10nm ; Development of isotropic etching processes of silicon to silicon-germanium for sub 10nm CMOS applications.
    Rachidi, Sana ; Université Grenoble Alpes ; et al.
    2020
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Rapport d'activité final du Projet 'Unconventional Principles of Thermoelectric Generation' ; Rapport d'activité final du Projet 'Unconventional Principles of Thermoelectric Generation': ERC StG 338179
    Robillard, J.F. ; Microélectronique Silicium - IEMN (MICROELEC SI - IEMN) ; et al.
    In: https://hal.science/hal-04540093 ; Institut d'Electonique, Microélectronique et de nanotechnologie - UMR8520. 2024, 2024
    Online report
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Expérience en technologie à 3 microns: un procédé CMOS 10 volts à puits n / 3 μm technology experimentation: a 10 V n-well CMOS method
    BEERNAERT, D
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 58 (1984), Heft 3-4, S. 398-404
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Non-uniformité de la distribution spatiale des états de surface dans le canal des transistors CMOS / Non uniformity of surface state space distribution in the channel of CMOS transistors
    BALLAND, B ; PLOSSU, C ; et al.
    In: Revue de physique appliquée, Jg. 23 (1988), Heft 11, S. 1837-1845
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electronique CMOS en silicium microcristallin sur substrat flexible transparent
    Janfaoui, Sabri ; Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR) ; et al.
    2012
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Conception, fabrication et caractérisation de lentilles planaires nano-structurées dédiées aux capteurs d’images CMOS dans le proche-infrarouge ; Design, fabrication and characterization of nanostructured planar lenses dedicated to near infrared detection for CMOS image sensors
    Lopez, Thomas ; Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace ; et al.
    2016
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Etude, applications et améliorations de la technique LVI sur les défauts rencontrés dans les technologies CMOS avancées 45nm et inférieur. ; Study, applications and improvements of the LVI technique on the advanced CMOS technologies 45nm and below.
    CELI, Guillaume ; Lewis, Dean ; et al.
    2020
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Etude, applications et améliorations de la technique LVI sur les défauts rencontrés dans les technologies CMOS avancées 45nm et inférieur. ; Study, applications and improvements of the LVI technique on the advanced CMOS technologies 45nm and below.
    Celi, Guillaume ; 1, Bordeaux ; et al.
    2013
    Hochschulschrift
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Study, applications and improvements of the LVI technique on the advanced CMOS technologies 45nm and below. ; Etude, applications et améliorations de la technique LVI sur les défauts rencontrés dans les technologies CMOS avancées 45nm et inférieur.
    Celi, Guillaume ; Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-00904697 ; Autre. Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2013. Français. ⟨NNT : 2013BOR14774⟩, 2013
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fabrication of CMOS electronics on flexible and transparent substrate using microcrystalline silicon ; Electronique CMOS en silicium microcristallin sur substrat flexible transparent
    Janfaoui, Sabri ; Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR) ; et al.
    In: https://hal.science/tel-02441266 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Rennes1, 2012. Français. ⟨NNT : ⟩, 2012
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Nouvelles avancées en bolométrie à base de silicium amorphe pour le marché grand public : Les composants optoélectroniques / New developments in amorphous silicon bolometry for the consumer market
    MOTTIN, E
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2002, Heft 9, S. 51-55
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Transport thermique dans les nanostructures en silicium cristallin. Applications à la conversion d’énergie thermoélectrique
    Robillard, Jean-François ; Microélectronique Silicium - IEMN (MICROELEC SI - IEMN) ; et al.
    In: https://hal.science/tel-04528000 ; Matériaux. Université de Lille, 2022, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -