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    Field emission spectroscopy from (111) flat and stepped planes of iridium
    Viet, D. Dao ; Rihon, N. ; et al.
    In: Physica Status Solidi (a) ; volume 58, issue 2, page 501-506 ; ISSN 0031-8965 1521-396X, 1980
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Concentration dependence of the boron diffusion coefficient in silicon
    An, Dao Khac ; Mai, Le Hoang ; et al.
    In: Physica Status Solidi (a) ; volume 76, issue 1, page K85-K88 ; ISSN 0031-8965 1521-396X, 1983
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Numerical solution of the nonlinear diffusion equation for the anomalous boron diffusion in silicon
    An, Dao Khac
    In: physica status solidi (a) ; volume 90, issue 1, page 173-180 ; ISSN 0031-8965 1521-396X, 1985
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Use of SIMS for determining the segregation coefficient of boron at the SiSiO2interface in steam oxidation following ion implantation
    An, Dao Khac ; Pavlyák, F.
    In: physica status solidi (a) ; volume 95, issue 2, page K117-K121 ; ISSN 0031-8965 1521-396X, 1986
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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