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    CVD-Beschichtung von Kohlenstoffasern im Chargenbetrieb und im kontinuierlichen Verfahren
    PLÄNITZ, H ; BOCHMANN, G ; et al.
    In: Wissenschaftliche Zeitschrift der Technischen Universität Karl-Marx-Stadt, Jg. 32 (1990), Heft 2, S. 218-228
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Herstellungsprozess dünner Al2O3-Schichten mit Hilfe des Niederdruck-CVD-Verfahrens
    Procédé de préparation de couche mince Al2O3 à l'aide du procédé CVD à basse pression / Al2O3 thin film preparation by low pressure CVD
    In: Wissenschaftliche Zeitschrift der Technischen Hochschule Karl-Marx-Stadt, Jg. 31 (1989), Heft 3, S. 425-432
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Darstellung und Charakterisierung einfacher α-Sila- und α,ω-Disilaalkane als Vorstufen für die CVD-Erzeugung von amorphem Silicium a-SiC:H / Synthèse et caractérisation d'α-sila- et d'α,ω-disilaalcanes simples comme précurseurs pour la production CVD de silicium amorphe a-SiC:H / Synthesis and characterization of simple α-sila- and α,ω-disilaalkanes: precursors for the CVD production of amorphous silicon a-SiC:H
    SCHMIDBAUR, H ; DÖRZBACH, C
    In: Zeitschrift für Naturforschung. B, A journal of chemical sciences, Jg. 42 (1987), Heft 9, S. 1088-1096
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Normaldruck-CVD-Abscheidung von Al2O2-Isolatorschichten fuer die Mikroelektronik / Normal pressure chemical vapor deposition of Al2O2 insulating films in microelectronics
    CEBULLA, H ; ERBEN, E ; et al.
    In: Wissenschaftliche Zeitschrift der Technischen Hochschule Karl-Marx-Stadt, Jg. 28 (1986), Heft 4, S. 462-474
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Herstellung von Titansilicidschichten mit LP-CVD / Dépôt de couches de siliciure de titane par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression / Low-pressure chemical vapour deposition of TiSix thin films
    HINTZE, B ; HEMPEL, H.-D
    In: Wissenschaftliche Zeitschrift der Technischen Hochschule Karl-Marx-Stadt, Jg. 30 (1988), Heft 3, S. 345-351
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Normaldruck-CVD-Abscheidung von Al2O30Isolatoschichten für die Mikroelektronik / Dépôt chimique en phase vapeur sous pression normale de couches isolantes de Al2O3 pour fabrication microélectronique / Normal pressure chemical vapor deposition of Al2O3 insulating films in microelectronics
    CEBULLA, H ; ERBEN, E ; et al.
    In: Wissenschaftliche Zeitschrift der Technischen Hochschule Karl-Marx-Stadt, Jg. 28 (1986), Heft 4, S. 462-474
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Herstellung von CVD-SiC Schichten bei mittleren Beschichtungstemperaturen / Préparation de couches minces de SiC par dépôt chimique en phase vapeur aux températures de formation de revêtement moyennes / Chemical vapour phase de position of SiC films at medium temperatures
    SCHINTLMEISTER, W ; WALLGRAM, W ; et al.
    In: High Temperatures. High Pressures (Print), Jg. 18 (1986), Heft 2, S. 211-222
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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