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    45nm CMOS Platform Technoligy (CMOS 6) : Semiconductors and integrated circuits technology
    Iwai, M. ; Oishi, A. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2004, Heft 67, S. 76-79
    Konferenz
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    Gate-first Metal Gate/Dual High-k CMOS with Low Threshold Voltages : Symposium on semiconductors and integrated circuits technology
    Nara, Y. ; Mise, N. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2008, Heft 72, S. 69-72
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Current Drive CMOS Device Technologies using New Channel Materials : Symposium on semiconductors and integrated circuits technology
    Takagi, S.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2008, Heft 72, S. 81-84
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nanoimprint Lithography for CMOS Application : Symposium on semiconductors and integrated circuits technology
    Wada, H.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2008, Heft 72, S. 41-44
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tilt Sensor System Using MEMS Device and CMOS Technology : Sensor symposium on sensors, micromachines and applied systems
    Matsuo, T. ; Liang, J. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SENSOR SYMPOSIUM ON SENSORS MICROMACHINES AND APPLIED SYSTEMS, Jg. 24 (2007), S. 272-275
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-Actuation-Voltage RF MEMS Devices and Their Integration with a CMOS LSI : Sensor symposium on sensors, micromachines and applied systems
    Kuwabara, K. ; Sato, N. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SENSOR SYMPOSIUM ON SENSORS MICROMACHINES AND APPLIED SYSTEMS, Jg. 24 (2007), S. 41-44
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    55nm CMOS Technology for Low Standby Power Applications Deploying Gate Work Function Control by HfSIO~x Film : Symposium on semiconductors and integrated circuits technology
    Abe, T. ; Nakamura, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Jg. CONF 71 (2007), S. 139-142
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-Performance CMOS Device Technologies Featuring Metal/High-k Gate Electrodes with Uniaxially-Strained Silicon Channels on {100} and {110} Substrates : Symposium on semiconductors and integrated circuits technology
    Wakabayashi, H. ; Tateshita, Y. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Jg. CONF 71 (2007), S. 11-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and Electrical Characterization of Strained Si-on-insulator/Strained SiGe-on-insulator Dual Channel CMOS structures with High-Mobility Channels : Kansai section joint convention of institutes of electrical engineering Japan
    Tezuka, T. ; Nakaharai, S. ; et al.
    In: IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRONICS, Jg. 126 (2006), Heft 11, S. 1332-1339
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Nano-Scale CMOS Device with TCAD Simulation : Symposium on semiconductors and integrated circuits technology
    Tanabe, R. ; Ashizawa, Y. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2006, Heft 70, S. 39-42
    Konferenz
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    Critical Issues of HfSiON Hight-k Gate Insulator for CMOS Application : Symposium on semiconductors and integrated circuits technology
    Koyama, M. ; Koike, M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2006, Heft 70, S. 7-10
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Strained-Si/SiGe/Ge-On-Insulator CMOS Device Technologies : Semiconductors and integrated circuits technology
    Takagi, S.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2005, Heft 69, S. 75-78
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A Comprehensive Study of Ni Fully-silicided (Ni-FUSI) Metal Gates for High-performance CMOS Devices : Semiconductors and integrated circuits technology
    Hosaka, K. ; Kurahashi, T. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2005, Heft 69, S. 63-66
    Konferenz
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    C 204 Temperature Dependence of Device Interactions in Submicron Si CMOS : Visualization Society of Japan
    Hatakeyama, T. ; Fushinobu, K. ; et al.
    In: JOURNAL- VISUALIZATION SOCIETY OF JAPAN, Jg. 25 (2005), Heft SUPP/2, S. 317-320
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Chemical Dry Cleaning Technology for Reliable 65nm CMOS Contact to NiSix : Semiconductors and integrated circuits technology
    Honda, M. ; Tsutsumi, K. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Jg. 68 (2005), S. 25-28
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    SOI-CMOS Device Technology for High Speed and Low Power Consumption LSI : Semiconductors and integrated circuits technology
    Ipposhi, T. ; Maegawa, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Jg. 68 (2005), S. 7-10
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Novel Strain Enhanced CMOS Architecture Using Selectively Deposited High Tensile And High Compressive Silicon Nitride Films : Semiconductors and integrated circuits technology
    Pidin, S. ; Ogura, Y. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Jg. 68 (2005), S. 19-22
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Sub-10-nm Planar-Bulk-CMOS Device Properties : Semiconductors and integrated circuits technology
    Wakabayashi, H. ; Ezaki, T. ; et al.
    In: PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Jg. 68 (2005), S. 15-18
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High-Reliability CMOS Technology for 65-nm Node and Beyond : Semiconductors and integrated circuits technology
    Yamashita, T.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2004, Heft 67, S. 60-63
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Fully Compatible Integration of Embedded DRAM with 65nm CMOS Technology : Semiconductors and integrated circuits technology
    Yasumoto, K. ; Matubara, Y. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2004, Heft 67, S. 52-55
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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