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    Verification of the ability to perform global extraction of MOSFET parameters with the use of EKV model
    Bartnik, L. ; Arabas, J. ; et al.
    In: ELEKTRONIKA -WARSAW- WYDAWNICTWA CZASOPISM TECHNICZNYCH NOT THEN WYDAWNICTWO NOT SIGMA-, Jg. 50 (2009), Heft 8, S. 258-266
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Trajectory simulation of EKV terminal phase interception based on zero effort
    Feng, J. ; Xian, Y. ; et al.
    In: FLIGHT DYNAMICS -XIAN-, Jg. 28 (2010), Heft 2, S. 75-77
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -