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    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 253-263
    Online unknown
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    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
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    Self-Heating Effect in Submicronic SOI-CMOS Transistors
    Novoselov, A. S. ; Masalsky, N. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 278-285
    Online unknown
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate
    Katunin, Yu.V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), S. 214-223
    Online unknown
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    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-12-01), S. 477-484
    Online unknown
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    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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    Modeling Silicon Cylindrical CMOS Nanotransistors with a Fully Enclosed Variable-Radius Gate
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-07-12), S. 220-225
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 394-401
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Kobylyatskii, A. V. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), S. 268-272
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A High Voltage CMOS Voltage Level Converter for a Low Voltage Process
    Shubin, V. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), S. 155-163
    Online unknown
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    Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), S. 181-191
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, Dmitry I. ; Cheremisinova, Liudmila D.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 187-196
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Masking Noise Pulses When Collecting a Charge from the Tracks of Single Ionizing Particles in a Majority Element Based on CMOS NAND Logic
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-02-01), S. 36-42
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), S. 259-267
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS Majority Element Based on NAND Logic with Reduced Sensitivity to Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), S. 394-403
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CVC Simulation of Ultrathin Soi-Cmos Nanotransistors with a Fully Enclosed Gate
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), S. 387-393
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements
    Ignatov, P. V. ; Shelepin, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-05-01), S. 197-200
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
    Kardash, S. N. ; Yu. Yu. Lankevich ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 65-81
    Online unknown
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