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    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 253-263
    Online unknown
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    Design of a K-Band High-Efficiency Power Amplifier in 45 nm SOI CMOS Technology
    Liying, Chen ; Hao, Wang ; et al.
    In: Integrated Ferroelectrics, Jg. 217 (2021-06-13), S. 95-106
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    Stress-Released Amorphous Oxide/Carbon Nanotube CMOS Amplifier Circuits for Skin-Compatible Electronics
    Kim, Kyung-Tae ; Nam, Seung-Ji ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 3 (2021-10-22), S. 4950-4958
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Integrated CMOS Microwave Power Converter for Passive Wireless Devices
    Konoplev, Boris G. ; Sinyukin, A. S.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-05-01), S. 189-196
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Self-Heating Effect in Submicronic SOI-CMOS Transistors
    Novoselov, A. S. ; Masalsky, N. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 278-285
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    Role of Carbon Nitride on the Resistive Switching Behavior of a Silver Stannate Based Device: An Approach to Design a Logic Gate Using the CMOS–Memristor Hybrid System
    Sarit Kumar Ghosh ; VENKATA KISHORE, PERLA ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 5 (2023-03-06), S. 1620-1627
    Online unknown
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    Cu2O p-type Thin-Film Transistors with Enhanced Switching Characteristics for CMOS Logic Circuit by Controlling Deposition Condition and Annealing in the N2 Atmosphere
    Jae Hak Lee ; Kim, Jiyeon ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 5 (2023-02-07), S. 1123-1130
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Color-Filter-Free Three-Layer-Stacked Image Sensor Using Blue/Green-Selective Organic Photoconductive Films with Thin-Film Transistor Circuits on CMOS Image Sensors
    Tatsuya, Aotake ; Mineo, Keitada ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 3 (2021-06-18), S. 3085-3095
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    CMOS compatible manufacturing of a hybrid SET-FET circuit
    A del Moral ; Amat, E ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 37 (2022-11-15), S. 125014-125014
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate
    Katunin, Yu.V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), S. 214-223
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A Two-Dimensional MoS2 Device and CMOS Inverter Based on the Plasma Immersion Doping Technique
    Zhang, Yuan ; Hu, Shijiao ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, 2023-05-23
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-12-01), S. 477-484
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Mechanisms for enhancement of sensing performance in CMOS ISFET arrays using reactive ion etching
    Moser, Nicolas ; Georgiou, Pantelis ; et al.
    In: Sensors and Actuators B: Chemical, Jg. 292 (2019-08-01), S. 297-307
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Modeling Silicon Cylindrical CMOS Nanotransistors with a Fully Enclosed Variable-Radius Gate
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-07-12), S. 220-225
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 394-401
    Online unknown
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    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Kobylyatskii, A. V. ; Boruzdina, Anna B. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-07-01), S. 268-272
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Experimental Investigation of Pulsed Laser Deposition of Ferroelectric Gd:HfO2 in a CMOS BEOL Compatible Process
    Ionescu, Adrian M. ; Cavalieri, Matteo ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 2 (2020-05-29), S. 1752-1758
    Online unknown
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