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    Ge-CMOS集積化技術の開発動向
    Trends in Developing Ge-CMOS Integration Technologies
    2015
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    ｢講演奨励賞受賞記念講演｣0.7 nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge CMOS
    睿, 張 ; 汝静, 林 ; et al.
    2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    次世代ナノCMOSにおける物性制御と不純物
    理, 中塚 ; 正太郎, 竹内 ; et al.
    2011
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    SPICEによる低電圧シリコンナノワイヤトランジスタCMOS回路性能の検討
    建, 内田 ; 健介, 太田 ; et al.
    2012
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Ⅲ-Ⅴ/Ge device technologies for electronic-photonic integrated circuits on the Si platform / シリコンプラットフォーム上光電子集積回路に向けたⅢ-Ⅴ/Geデバイス技術
    Mitsuru, TAKENAKA ; Shinichi, TAKAGI ; et al.
    In: 応用物理, Jg. 82 (2013-04-10), Heft 4, S. 309
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    HfSiON gate dielectrics / HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
    Akio, KANEKO ; Izumi, HIRANO ; et al.
    In: 応用物理, Jg. 73 (2004-09-10), Heft 9, S. 1200
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Recent progress of SOI (silicon-on-insulator) device technology / 最近のSOI (silicon-on-insulator) 素子技術
    Makoto, YOSHIMI ; 信, 吉見
    In: 応用物理, Jg. 70 (2001-02-10), Heft 2, S. 165
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    FinFET SRAM integration technology / 最先端 FinFET SRAM 集積化技術
    Hirohisa, KAWASAKI ; 博久, 川崎
    In: 応用物理, Jg. 79 (2010-12-10), Heft 12, S. 1103
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Recent prospect for metal gate technology / メタルゲート技術の最近の展望
    Kazuaki, NAKAJIMA ; Kouji, MATSUO ; et al.
    In: 応用物理, Jg. 74 (2005-09-10), Heft 9, S. 1185
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Prospect of SOI devices / SOIデバイスの展望
    Toshiaki, TSUCHIYA ; 敏章, 土屋
    In: 応用物理, Jg. 66 (1997-11-10), Heft 11, S. 1191
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Si-based high-mobility MOS transistor technologies / Si系高移動度MOSトランジスタ技術
    Shin-ichi, TAKAGI ; 信一, 高木
    In: 応用物理, Jg. 74 (2005-09-10), Heft 9, S. 1158
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    MOSFETの負バイアス温度不安定性の微視的メカニズム / Microscopic mechanism of negative bias temperature instability（NBTI）in MOS devices
    Jiro, USHIO ; Takuya, MARUIZUMI ; et al.
    In: 応用物理, Jg. 77 (2008-06-10), Heft 6, S. 676
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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