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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors
    Bo, Wang ; Cheng-Fa, He ; et al.
    In: Acta Physica Sinica, Jg. 65 (2016), S. 024212-24212
    Online unknown
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    Recent research progress of ferroelectric negative capacitance field effect transistors
    Xiao-Di, Zhang ; Xiao-Song, Zhao ; et al.
    In: Acta Physica Sinica, Jg. 69 (2020), S. 137701-137701
    Online unknown
    Zugriff:
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    Application prospect of metal-oxide-semiconductor silicon light emitting devices in integrated circuits
    In: Acta Physica Sinica, Jg. 68 (2019), S. 167803-167803
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Switching characteristics of all-spin logic devices based on graphene interconnects
    Huan-Qing, Cui ; Cheng, Li ; et al.
    In: Acta Physica Sinica, Jg. 66 (2017), S. 208501-208501
    Online unknown
    Zugriff:
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