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    P-type conductivity and suppression of green luminescence in Mg/N co-implanted GaN by gyrotron microwave annealing
    Shahedipour-Sandvik, Fatemeh ; McEwen, Benjamin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 130 (2021-08-28), S. 085704-85704
    Online unknown
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    Light-induced hydrogen evolution from hydrogenated amorphous silicon: Hydrogen diffusion by formation of bond centered hydrogen
    Tanimoto, Hisanori ; Arai, H. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 115 (2014-02-21), S. 073503-73503
    Online unknown
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    p-type conductivity and damage recovery in implanted GaN annealed by rapid gyrotron microwave annealing
    Meyers, Vincent ; Derenge, Michael A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-08-28), S. 085701-85701
    Online unknown
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    Temperature-dependence of X-ray excited luminescence of β-Ga2O3 single crystals
    Liu, Jinliang ; Zhu, Zhichao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-08-12), S. 071904-71904
    Online unknown
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    Time‐resolved XEOL spectroscopy of new scintillators based on CsI
    Vasil’ev, Andrey N. ; Mikhailin, V. V. ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 63 (1992), S. 806-809
    Online unknown
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    Optical and electrical properties of undoped ZnO films
    Lin, Yow-Jon ; Liu, Chia-Jyi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 99 (2006-05-01), S. 093501-93501
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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