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    Quantitative measurement of the composition of AlxGa1−xAs heterostructures using a simple backscattered electron detector
    Vahala, Kerry J. ; Lebens, John A. ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 60 (1989-12-01), S. 3775-3778
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    High mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on semi-insulating GaN templates prepared by hydride vapor phase epitaxy
    Stormer, Horst ; Manfra, Michael J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-07-01), S. 338-345
    Online unknown
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    Size, composition, and doping effects on In(Ga)As nanowire/Si tunnel diodes probed by conductive atomic force microscopy
    Abstreiter, Gerhard ; Hertenberger, Simon ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-12-03), S. 233102-233102
    Online unknown
    Zugriff:
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    Brillouin scattering determination of the surface acoustic wave velocity in InxGa1−xN: A probe into the elastic constants
    Oliva, R. ; Boney, C. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-08-06), S. 062103-62103
    Online unknown
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    Raman scattering by the E2h and A1(LO) phonons of InxGa1−xN epilayers (0.25 < x < 0.75) grown by molecular beam epitaxy
    Boney, C. ; Henini, Mohamed ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-03-15), S. 063502-63502
    Online unknown
    Zugriff:
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Plasma display panel design for simultaneous high efficacy and high luminance
    S.T. de Zwart ; Dekker, Tim ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008), S. 013301-13301
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -