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    Orientation-specific transgranular fracture behavior of CVD-grown monolayer MoS2single crystal
    Hao, Song ; Yang, Bingchu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-04-10), S. 153105-153105
    Online unknown
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    Electrical activation process of phosphorus atoms with annealing for doped CVD poly‐Si
    Shimizu, T. ; Hasegawa, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 50 (1979-11-01), S. 7256-7257
    Online unknown
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    Structural investigation of the titanium/diamond film interface
    Vitali, Gianfranco ; Maria Letizia Terranova ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-09-15), S. 3552-3560
    Online unknown
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    Diamond nucleation on cleaved Si(111)
    Polini, Riccardo
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 72 (1992-09-15), S. 2517-2519
    Online unknown
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    Temperature induced polytype conversion in cubic silicon carbide studied by Raman spectroscopy
    Semmelroth, Kurt ; Nagasawa, Hiroyuki ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-15), S. 5569-5575
    Online unknown
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    Nanocrystalline order of zinc oxide thin films grown on optical fibers
    Tran, N. ; Lamb, Robert N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-09-15), S. 2996-2999
    Online unknown
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    Nanocrystalline diamond micro-anvil grown on single crystal diamond as a generator of ultra-high pressures
    Vohra, Yogesh K. ; Baker, Paul A. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 6 (2016-09-01), S. 095027-95027
    Online unknown
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    Secondary electron emission characteristics of single-crystal and polycrystalline diamond
    Yater, J. E. ; Shih, A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-06-01), S. 8103-8112
    Online unknown
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    Enhanced crystallization of amorphous Si containing hydrogen without oxygen during ion-beam irradiation at 310 °C and during furnace annealing below 450 °C
    Nakata, Jyoji
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 82 (1997-12-01), S. 5433-5445
    Online unknown
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    Effect of vapor composition on polytype homogeneity of epitaxial silicon carbide
    Konstantinov, A. O. ; Janzén, E. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-11-15), S. 5704-5712
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Structural modification of ion‐implanted and postannealed polycrystalline diamond studied by transmission electron microscopy
    Deguchi, Masahiro ; Kitabatake, Makoto ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 80 (1996-08-01), S. 1465-1468
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Paramagnetic NO2 centers in thin γ-irradiated HfO2 layers on (100)Si revealed by electron spin resonance
    Stesmans, Andre ; Afanas'ev, Valeri ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-05-31), S. 4574-4576
    Online unknown
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    Diamond nucleation on stressed substrates
    Mutsukura, Nobuki ; Machi, Yoshio ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-12-01), S. 6520-6524
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Dependence of substitutional C incorporation on Ge content for Si1−x−yGexCy crystals grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
    Kubo, Minoru ; Kanzawa, Yoshihiko ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-12-11), S. 3962-3964
    Online unknown
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    Texture formation in polycrystalline diamond films
    Wild, Ch. ; Herres, N. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 68 (1990-08-01), S. 973-978
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ge1-ySny (y = 0.01-0.10) alloys on Ge-buffered Si: Synthesis, microstructure, and optical properties
    Menendez, Jose ; Smith, David J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-10-07), S. 133509-133509
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A nitrogen doped low-dislocation density free-standing single crystal diamond plate fabricated by a lift-off process
    Kato, Yukako ; Mokuno, Yoshiaki ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 104 (2014-06-23), S. 252109-252109
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Diamond film orientation by ion bombardment during deposition
    Klages, C.-P. ; Paul, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 68 (1996-04-01), S. 1927-1929
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    In situ, real‐time observation of Al chemical‐vapor deposition on SiO2 in an environmental transmission electron microscope
    Weiss, Karl ; Kouvetakis, John ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-03-15), S. 2846-2848
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Origin and suppression of misfit dislocations in heavily boron‐doped (100) silicon wafers
    Lee, Ho-Jun ; Jeon, Young‐Jin ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 64 (1994-05-30), S. 2955-2957
    Online unknown
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