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    Nano--opto-electro-mechanical switches operated at CMOS-level voltages
    Haffner, Christian ; Joerg, Andreas ; et al.
    In: Science, Jg. 366 (2019-11-15), Heft 6467, S. 860-864
    Online academicJournal
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    CMOS Camera
    In: Science, Jg. 378 (2022-10-07), Heft 6615, S. 100-100
    Online academicJournal
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    CMOS future for microelectronic circuits
    Robinson, Arthur L.
    In: Science, Jg. v224 (1984-05-18), S. 705-707
    Online academicJournal
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    CMOS future for microelectronic circuits.
    In: Science, Jg. 224 (1984-05-18), Heft 4650, S. 705-707
    Online academicJournal
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    Souping Up Your 'Scope.
    May, Mike
    In: Science, Jg. 344 (2014-05-02), Heft 6183, S. 536-538
    Online academicJournal
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    Controlling the Polarity of Silicon Nanowire Transistors.
    Ernst, Thomas
    In: Science, Jg. 340 (2013-06-21), Heft 6139, S. 1414-1415
    Online academicJournal
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    New Products.
    In: Science, Jg. 343 (2014-03-28), Heft 6178, S. 1545-1545
    Online academicJournal
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    A stable rhombohedral phase in ferroelectric Hf(Zr)<subscript>1+x</subscript>O<subscript>2</subscript> capacitor with ultralow coercive field.
    Wang, Yuan ; Tao, Lei ; et al.
    In: Science, Jg. 381 (2023-08-04), Heft 6657, S. 558-563
    Online academicJournal
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    A stable rhombohedral phase in ferroelectric Hf(Zr)1+xO2 capacitor with ultralow coercive field.
    Wang, Yuan ; Tao, Lei ; et al.
    In: Science, Jg. 381 (2023-08-04), Heft 6657, S. 558-563
    Online academicJournal
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    Atomic-scale polarization switching in wurtzite ferroelectrics.
    Calderon V., Sebastian ; Hayden, John ; et al.
    In: Science, Jg. 380 (2023-06-09), Heft 6649, S. 1034-1038
    Online academicJournal
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    Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths.
    Qiu, Chenguang ; Zhang, Zhiyong ; et al.
    In: Science, Jg. 355 (2017-01-20), Heft 6322, S. 271-276
    Online academicJournal
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    Electrical power generation from moderate-temperature radiative thermal sources.
    Davids, Paul S. ; Kirsch, Jared ; et al.
    In: Science, Jg. 367 (2020-03-20), Heft 6484, S. 1341-1345
    Online academicJournal
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    Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths
    Qju, Chenguang ; Zhang, Zhiyong ; et al.
    In: Science, Jg. 355 (2017-01-20), Heft 6322, S. 271-276
    Online academicJournal
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    Parallel programming of an ionic floating-gate memory array for scalable neuromorphic computing.
    Fuller, Elliot J. ; Keene, Scott T. ; et al.
    In: Science, Jg. 364 (2019-05-10), Heft 6440, S. 570-574
    Online academicJournal
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    Where Do the Dopants Go?
    Roy, Scott ; Asenov, Asen
    In: Science, Jg. 309 (2005-07-15), Heft 5733, S. 388-390
    Online academicJournal
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    Exploring the path of the variable resistance.
    Hilgenkamp, Hans ; Gao, Xing
    In: Science, Jg. 373 (2021-08-20), Heft 6557, S. 854-855
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    A Physically Transient Form of Silicon Electronics.
    Hwang, Suk-Won ; Tao, Hu ; et al.
    In: Science, Jg. 337 (2012-09-28), Heft 6102, S. 1640-1644
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    Small shared-memory multiprocessors.
    Baskett, Forest ; Hennessy, John L.
    In: Science, Jg. 231 (1986-02-28), S. 963-967
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    A silicon single-electron transistor memory operating at room temperature.
    Guo, Lingjie ; Leobandung, Effendi ; et al.
    In: Science, Jg. 275 (1997-01-31), S. 649-651
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    A physically transient form of silicon electronics
    Hwang, Suk-Won ; Tao, Hu ; et al.
    In: Science, Jg. 337 (2012-09-28), Heft 6102, S. 1640-1644
    Online academicJournal
    Zugriff:
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