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    Graphene Photo Memtransistor Based on CMOS Flash Memory Technology with Neuromorphic Applications
    Levy, Uriel ; Frydendahl, Christian ; et al.
    In: ACS Photonics, Jg. 8 (2021-07-14), S. 2659-2665
    Online unknown
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    Memristor−CMOS Hybrid Integrated Circuits for Reconfigurable Logic
    Xia, Qiangfei ; Li, Xuema ; et al.
    In: Nano Letters, Jg. 9 (2009-09-01), S. 3640-3645
    Online unknown
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    Strengthened Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Logic for Small-Band-Gap Semiconductor-Based High-Performance and Low-Power Application
    Zhang, Zhiyong ; Peng, Lian-Mao ; et al.
    In: ACS Nano, Jg. 14 (2020-10-30), S. 15267-15275
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    On the Temperature Dependence of the Piezoelectric Response of Prepoled Poly(vinylidene fluoride) Films
    Sherman, Jeffrey D. ; Shepard, Kenneth L. ; et al.
    In: ACS Applied Polymer Materials, Jg. 2 (2020-08-27), S. 5110-5120
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    Epitaxial BaTiO3 on Si(100) with In-Plane and Out-of-Plane Polarization Using a Single TiN Transition Layer
    Biswas, Rabindra ; Vura, Sandeep ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 3 (2021-01-25), S. 687-695
    Online unknown
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    Si-Based GeSn Photodetectors toward Mid-Infrared Imaging Applications
    Al-Kabi, Sattar ; Tolle, John ; et al.
    In: ACS Photonics, Jg. 6 (2019-10-02), S. 2807-2815
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Complementary Driving between 2D Heterostructures and Surface Functionalization for Surpassing Binary Logic Devices
    Young Jae Kim ; Son, Hyeonje ; et al.
    In: ACS Applied Materials & Interfaces, Jg. 13 (2021-02-15), S. 8692-8699
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Switching Behavior in a Vertical Tunneling Transistor by Tunneling Mechanism Transition and Floating Electrode Structure
    Kim, Hyun-Sik ; Jae Hoon Yang ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 2 (2020-07-10), S. 2461-2469
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High-Performance Complementary Transistors and Medium-Scale Integrated Circuits Based on Carbon Nanotube Thin Films
    Zhang, Zhiyong ; Peng, Lian-Mao ; et al.
    In: ACS Nano, Jg. 11 (2017-03-29), S. 4124-4132
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Electrostatic Selectivity of Volatile Organic Compounds Using Electrostatically Formed Nanowire Sensor
    Vaknin, Yonathan ; Mahapatra, Niharendu ; et al.
    In: ACS Sensors, Jg. 3 (2018-03-06), S. 709-715
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Three-Dimensional Flexible Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Logic Circuits Based On Two-Layer Stacks of Single-Walled Carbon Nanotube Networks
    Wang, Jiaping ; Jin, Yuanhao ; et al.
    In: ACS Nano, Jg. 10 (2016-01-19), S. 2193-2202
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High-Performance WSe2 Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology and Integrated Circuits
    Zhang, Yuhao ; Yu, Lili ; et al.
    In: Nano Letters, Jg. 15 (2015-07-28), S. 4928-4934
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Metal Contact Engineering and Registration-Free Fabrication of Complementary Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits Using Aligned Carbon Nanotubes
    Ryu, Koungmin ; Wang, Chuan ; et al.
    In: ACS Nano, Jg. 5 (2011-01-27), S. 1147-1153
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    2007 IEEE Device Research Conference: Tour de Force Multigate and Nanowire Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors and Their Application
    Jackson, Thomas N. ; Zhang, Pengpeng ; et al.
    In: ACS Nano, Jg. 1 (2007-08-01), S. 6-9
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Porphyrin–Silicon Hybrid Field-Effect Transistor with Individually Addressable Top-gate Structure
    Kim, Changhoon ; Moon, Dong-Il ; et al.
    In: ACS Nano, Jg. 6 (2011-12-15), S. 183-189
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Dually Active Silicon Nanowire Transistors and Circuits with Equal Electron and Hole Transport
    Weber, Walter M. ; Mikolajick, Thomas ; et al.
    In: Nano Letters, Jg. 13 (2013-08-14), S. 4176-4181
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Schottky Barrier Height Modulation of Metal/n-GeSn Contacts Featuring Low Contact Resistivity by in Situ Chemical Vapor Deposition Doping and NiGeSn Alloy Formation
    Luo, Guang-Li ; Kao, Hsiang-Shun ; et al.
    In: ACS Applied Electronic Materials, Jg. 3 (2021-03-01), S. 1334-1340
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Photo-Triggered Logic Circuits Assembled on Integrated Illuminants and Resonant Nanowires
    Li, Qikun ; Asare-Yeboah, Kyeiwaa ; et al.
    In: ACS Applied Materials & Interfaces, Jg. 12 (2020-09-28), S. 46501-46508
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Scalable Complementary Logic Gates with Chemically Doped Semiconducting Carbon Nanotube Transistors
    Young Woo Jo ; Soo Min Kim ; et al.
    In: ACS Nano, Jg. 5 (2011-03-03), S. 2369-2375
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Adaptive Logic Circuits with Doping-Free Ambipolar Carbon Nanotube Transistors
    Lee, Eun-Hong ; Young Hee Lee ; et al.
    In: Nano Letters, Jg. 9 (2009-03-12), S. 1401-1405
    Online unknown
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