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    Note: All-digital CMOS MOS-capacitor-based pulse-shrinking mechanism suitable for time-to-digital converters.
    Chen, Chun-Chi ; Hwang, Chorng-Sii ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 86 (2015-12-01), Heft 12, S. 1-3
    Online academicJournal
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    An energy-efficient readout circuit for resonant sensors based on ring-down measurement
    Zeng, Z. ; Pertijs, M.A.P. ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments, 84 (2), 2013, 2013-02-25
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Carrier conduction mechanisms in MIS capacitors with ultra-thin Al<subscript>2</subscript>O<subscript>3</subscript> at cryogenic temperatures.
    Rocha-Aguilera, D. ; Molina-Reyes, J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Carrier conduction mechanisms in MIS capacitors with ultra-thin Al2O3 at cryogenic temperatures.
    Rocha-Aguilera, D. ; Molina-Reyes, J.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 124 (2024), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    An energy-efficient readout circuit for resonant sensors based on ring-down measurement
    Zeng, Z. (author) ; Pertijs, M.A.P. (author) ; et al.
    2013
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Integrate-and-fire neuron circuit using positive feedback field effect transistor for low power operation.
    Kwon, Min-Woo ; Baek, Myung-Hyun ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-10-21), Heft 15, S. N.PAG- (7S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Single photon detector fabricated in a complementary metal-oxide-semiconductor high-voltage technology.
    Rochas, A. ; Gani, M. ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 74 (2003-07-01), Heft 7, S. 3263-3270
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Highly sensitive optically controlled tunable capacitor and photodetector based on a metal-insulator-semiconductor on silicon-on-insulator substrates.
    Mikhelashvili, V. ; Cristea, D. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-01-28), Heft 4, S. 44503-1- (8S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Impact of area scaling on the ferroelectric properties of back-end of line compatible Hf0.5Zr0.5O2 and Si:HfO2-based MFM capacitors.
    Francois, T. ; Grenouillet, L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 118 (2021-02-14), Heft 6, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Nitrogen dependence of band alignment and electrical properties of HfTiON gate dielectrics metal-oxide-semiconductor capacitor.
    He, G. ; Sun, Z. Q. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-11-08), Heft 19, S. 192902-1- (3S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Implementing TiO2 as gate dielectric for Ge-channel complementary metal-oxide-semiconductor devices by using HfO2 /GeO2 interlayer.
    Xie, Qi ; Deduytsche, Davy ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-09-13), Heft 11, S. 112905-1- (3S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Improvement of the electrical performance of Au/Ti/HfO<subscript>2</subscript>/Ge<subscript>0.9</subscript>Sn<subscript>0.1</subscript> p-MOS capacitors by using interfacial layers.
    Haffner, T. ; Mahjoub, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-10-21), Heft 17, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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    Improvement of the electrical performance of Au/Ti/HfO2/Ge0.9Sn0.1 p-MOS capacitors by using interfacial layers.
    Haffner, T. ; Mahjoub, M. A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 115 (2019-10-21), Heft 17, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Dielectric and electrical properties of amorphous La1-xTaxOy films as higher-k gate insulators.
    Zhao, Yi ; Kita, Koji ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-02-01), Heft 3, S. 034103-34103
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Alpha particle mitigation strategies to reduce chip soft error upsets.
    Cabral, C. ; Rodbell, K. P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 101 (2007), Heft 1, S. 014902-14902
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design A 1Bit Low Power Full Adder Using Cadence Tool.
    Khare, Kavita ; Shukla, Krishna Dayal
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1324 (2010-11-06), Heft 1, S. 373-376
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Prevention of degradation of (Ba,Sr)TiO3 during forming gas anneal by a SiO2 capped (Ba,Sr)RuO3 electrode.
    Kim, Young-Bae ; Park, Jeong-Hee ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003-06-01), Heft 11, S. 9212-9217
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Ultra high density three dimensional capacitors based on Si nanowires array grown on a metal layer.
    Morel, P. H. ; Haberfehlner, G. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 101 (2012-08-20), Heft 8, S. 83110-83113
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Modelling VLSI Circuits Using Taylor Series.
    Kocina, Filip ; Nečasová, Gabriela ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1863 (2017-07-28), Heft 1, S. 1-4
    Konferenz
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    Enhanced Spatial Resolution Electrical Scanning Probe Microscopy By Using Carbon Nanotube Terminated Tips.
    Kopanski, Joseph J. ; Sitnitsky, Ilona ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1395 (2011-11-15), Heft 1, S. 123-127
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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