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    A fast and low noise charge sensitive preamplifier in 90 nm CMOS technology
    Cocciolo, G. ; Giachero, Andrea ; et al.
    2012
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Drain and Gate Current LF Noise in Advanced CMOS devices with Ultrathin gate Oxides.
    Contaret, T. ; Romanjek, K. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 780 (2005-08-25), Heft 1, S. 315-318
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Error Sources in On-Wafer Noise Characterization of RF CMOS Transistors.
    Wiatr, Wojciech
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 780 (2005-08-25), Heft 1, S. 697-700
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-Frequency Noise Characterization of 90 nm Multiple Gate Oxide CMOS Transistors.
    Lukyanchikova, N. ; Garbar, N. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 780 (2005-08-25), Heft 1, S. 331-334
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Modeling and characterization of noise in 90-nm RF CMOS technology.
    Scholten, A. J. ; Tiemeijer, L. F. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 780 (2005-08-25), Heft 1, S. 735-740
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An integrated-circuit based wide range electrometer implemented with automatically ranged linear display
    SEN-YEN, SHAW
    In: Review of scientific instruments, Jg. 63 (1992), Heft 6, S. 3505-3507
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Introduction to spin wave computing.
    Mahmoud, Abdulqader ; Ciubotaru, Florin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-10-28), Heft 16, S. 161101-1- (44S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Metrology for Emerging Devices and Materials.
    Vogel, Eric M.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 788 (2005-09-09), Heft 1, S. 650-655
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Superconducting THz Camera with GaAs‐JFET Cryogenic Readout Electronics
    Ikeda, Hirokazu ; Qi‐jun ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, 2009
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Physics and applications of nanotubes.
    Maruyama, Shigeo ; Arnold, Michael S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 131 (2022-02-28), Heft 8, S. 1-5
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Complementary metal-oxide-semiconductor-compatible and self-aligned catalyst formation for carbon nanotube synthesis and interconnect fabrication.
    Zhang, Can ; Yan, Feng ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-03-15), Heft 6, S. 64310-64315
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Bipolar pulsed excitation of erbium-doped nanosilicon light emitting diodes.
    Anopchenko, A. ; Tengattini, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-03-15), Heft 6, S. 63102-63106
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Interfacial reactions between WNx and poly Si1-xGex films.
    Kang, Sung Kwan ; Min, Byoung Gi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-12-01), Heft 11, S. 7071-7075
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Formation and thermal stability of ultra-shallow p+ junctions in Si and Si1-xGex formed by molecular beam epitaxy.
    Thompson, P. E. ; Bennett, J.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-12-01), Heft 11, S. 6845-6850
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Plasma-charging damage to gate SiO2 and SiO2/Si interfaces in submicron n-channel transistors: latent defects and passivation/depassivation of defects by hydrogen.
    Awadelkarim, O. O. ; Fonash, S. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 79 (1996), S. 517-525
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Custom single-photon avalanche diode with integrated front-end for parallel photon timing applications.
    Cammi, C. ; Panzeri, F. ; et al.
    In: Review of Scientific Instruments, Jg. 83 (2012-03-01), Heft 3, S. 33104-33111
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation of multilayer WS<subscript>2</subscript> flakes as charge trapping stack layers in non-volatile memories.
    Wang, Hong ; Ren, Deliang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-04), Heft 23, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigation of multilayer WS2 flakes as charge trapping stack layers in non-volatile memories.
    Wang, Hong ; Ren, Deliang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018-06-04), Heft 23, S. N.PAG- (5S.)
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Two-dimensional electro-optic sampling of terahertz radiation using high-speed complementary metal-oxide semiconductor camera combined with arrayed polarizer.
    Kitahara, Hideaki ; Tani, Masahiko ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 94 (2009-03-02), Heft 9, S. N.PAG- (3S.)
    Online academicJournal
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    Rectifying and photovoltaic properties of the heterojunction composed of CaMnO<subscript>3</subscript> and Nb-doped SrTiO<subscript>3</subscript>.
    Sun, J. R. ; Zhang, S. Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 86 (2005-01-31), Heft 5, S. 53503-53505
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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