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    High LET Single Event Upset Cross Sections For Bulk and SOI CMOS SRAMs.
    McDaniel, F.D. ; Doyle, B.L. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 680 (2003-08-26), Heft 1, S. 355-358
    Konferenz
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    Analysis of static noise margin for 7T SRAM cell using 45 nm technology.
    Akashe, Shyam ; Rastogi, Shishir ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1476 (2012-09-06), Heft 1, S. 42-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design and analysis of memory array using 45 nm nanotechnology of 7T SRAM cell and assess it performance.
    Akashe, Shyam ; Sharma, Sanjay
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1476 (2012-09-06), Heft 1, S. 9-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Multi Vt 7T SRAM cell for high speed application at 45 nm technology.
    Akashe, Shyam ; Shastri, Mayank ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1476 (2012-09-06), Heft 1, S. 31-34
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    The impact of nano-process variations on stability and low power consumption of SRAM cells.
    Akashe, Shyam ; Srivastava, Ankit ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1476 (2012-09-06), Heft 1, S. 26-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Characterization and Control of Etch Processes Using Multiple Metrologies.
    Bushman, Scott ; Celii, Francis ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 788 (2005-09-09), Heft 1, S. 427-431
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Metrology Requirements and the Limits of Measurement Technology for the Semiconductor Industry.
    Diebold, Alain C.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 683 (2003-09-30), Heft 1, S. 81-96
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
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