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    Anisotropic hole transport along [0001] and [112¯0] direction in p-doped (101¯0) GaN.
    Lin, Yingying ; Wang, Jia ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 134 (2023-12-21), Heft 23, S. 1-8
    Online academicJournal
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    Semi-Dirac and Dirac-node-arc phases in a (112) oriented Cd<subscript>3</subscript>As<subscript>2</subscript> film.
    Liu, Genhua ; Lei, Xuan
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-12-14), Heft 22, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Semi-Dirac and Dirac-node-arc phases in a (112) oriented Cd3As2 film.
    Liu, Genhua ; Lei, Xuan
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-12-14), Heft 22, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Revealing the role of Σ3{112} Si grain boundary local structures in impurity segregation.
    Maji, Rita ; Luppi, Eleonora ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 132 (2022-08-28), Heft 8, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Observation of structural defects in GaN/InGaN multi-quantum wells grown on semipolar (112¯2) substrate using cathodoluminescence in transmission electron microscopy.
    Sheen, Mi-Hyang ; Lee, Yong-Hee ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films, Jg. 42 (2024-03-01), Heft 2, S. 1-9
    academicJournal
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    Enhanced structural and optical properties of semipolar (112¯2) AlGaN film with insertion of AlN/AlGaN superlattice
    Luo, Xuguang ; Zhang, Xiong ; et al.
    In: Journal of vacuum science & technology.A.Vacuum, surfaces, and films, Jg. 41 (2023), Heft 5
    serialPeriodical
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    On the interaction of migrating {112¯6} twin boundary with nucleus of {101¯2} twin in Mg at T → 0 K.
    Verma, Ritu ; Ostapovets, Andriy
    In: Low Temperature Physics, Jg. 49 (2023-11-01), Heft 11, S. 1257-1262
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Optical anisotropy of (112¯3) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates.
    Funato, Mitsuru ; Matsuda, Yoshinobu ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 131 (2022-02-21), Heft 7, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Growth evolution of polar-plane-free faceted GaN structures on (112¯2) and (1¯1¯22¯) GaN substrates.
    Matsuda, Yoshinobu ; Funato, Mitsuru ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 129 (2021-04-28), Heft 16, S. 1-7
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Rayleigh waves in nonpolar Al0.7Sc0.3N(112¯0) films with enhanced electromechanical coupling and quality factor
    Feil, N. M. ; Nair, A. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 121 (2022), Heft 19
    Online serialPeriodical
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    Retraction: Low temperature method for synthesis of starch-capped ZnSe nanoparticles and its characterization studies [J. Appl. Phys. 112, 114331 (2012)]
    Senthilkumar, K. ; Kalaivani, T. ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 131 (2022), Heft 17
    Online serialPeriodical
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    Chemical vapor deposition of sp2-boron nitride films on Al2O3 (0001), (112¯0), (11¯02), and (101¯0) substrates
    Sharma, Sachin ; Souqui, Laurent ; et al.
    In: Journal of vacuum science & technology.A.Vacuum, surfaces, and films, Jg. 40 (2022), Heft 3
    serialPeriodical
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    Photo- and electro-luminescence studies of semipolar (112¯2) InxAl1−xN.
    Chung, Roy Byung Kyu
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 128 (2020-07-28), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Erratum: 'Structural and electronic properties of Ga2O3-Al2O3 alloys' [Appl. Phys. Lett. 112, 242101 (2018)]
    Peelaers, Hartwin ; Varley, Joel B. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 118 (2021), Heft 25
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Erratum: 'Calculation of nuclear spin–spin couplings. X. Analytical derivative method of perturbation energy' [J. Chem. Phys. 112, 3532 (2000)]
    Fukui, H. ; Baba, T. ; et al.
    In: Journal of chemical physics, Jg. 155 (2021), Heft 6
    Online serialPeriodical
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Rayleigh waves in nonpolar Al<subscript>0.7</subscript>Sc<subscript>0.3</subscript>N(112¯0) films with enhanced electromechanical coupling and quality factor.
    Feil, N. M. ; Nair, A. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 121 (2022-11-07), Heft 19, S. 1-5
    Online academicJournal
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    Understanding misfit strain releasing mechanisms via molecular dynamics simulations of CdTe growth on {112}zinc-blende CdS.
    Zhou, X. W. ; Chavez, J. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-07-28), Heft 4, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Growth of high-quality one-inch free-standing heteroepitaxial (001) diamond on (112¯0) sapphire substrate
    Kim, Seong-Woo ; Kawamata, Yuki ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 117 (2020), Heft 20
    Online serialPeriodical
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    Enhanced electromechanical coupling in SAW resonators based on sputtered non-polar Al0.77Sc0.23N 112¯0 thin films
    Ding, Anli ; Kirste, Lutz ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 116 (2020), Heft 10
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    Erratum: 'The critical role of substrate disorder in valley splitting in Si quantum wells' [Appl. Phys. Lett. 112, 243107 (2018)]
    Neyens, Samuel F. ; Foote, Ryan H. ; et al.
    In: Applied physics letters, Jg. 116 (2020), Heft 4
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