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    Highly resolved quantized double-layer charging of relatively larger dodecanethiol-passivated gold quantum dots.
    Chaki, Nirmalya K. ; Kakade, Bhalchandra ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-01), Heft 9, S. 5032-5036
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    Linewidth enhancement factor and chirp in quantum dot lasers.
    Oksanen, Jani ; Tulkki, Jukka
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-08-01), Heft 3, S. 1983-1989
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    Highly efficient GaInAs/(Al)GaAs quantum-dot lasers based on a single active layer versus 980 nm high-power quantum-well lasers.
    Klopf, F. ; Reithmaier, J. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 77 (2000-09-04), Heft 10, S. 1419-1421
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    High gain 1.55 μm diode lasers based on InAs quantum dot like active regions.
    Gilfert, C. ; Ivanov, V. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 98 (2011-05-16), Heft 20, S. 201102-201104
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    High-gain wavelength-stabilized 1.55 μm InAs/InP(100) based lasers with reduced number of quantum dot active layers.
    Sichkovskyi, V. I. ; Waniczek, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 102 (2013-06-03), Heft 22, S. 221117-221117
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