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    Mott-Hubbard Metal-Insulator Transition in Paramagnetic V~2O~3: An LDA + DMFT(QMC) Study
    Held, K. ; Keller, G. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW LETTERS, Jg. 86 (2001), Heft 23, S. 5345-5348
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    Implementation of the projector augmented-wave LDA + U method: Application to the electronic structure of NiO
    Bengone, O. ; Alouani, M. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 62 (2000), Heft 24, S. 16392-16401
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    Screened-exchange LDA methods for films and superlattices with applications to the Si(100)2x1 surface and InAs/InSb superlattices
    Asahi, R. ; Mannstadt, W. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 62 (2000), Heft 4, S. 2552-2561
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    LDA and GGA calculations for high-pressure phase transitions in ZnO and MgO
    Jaffe, J. E. ; Snyder, J. A. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 62 (2000), Heft 3, S. 1660-1665
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    Variation of the LDA + U method appropriate to f-state localization: Application to magneto-optical properties
    Price, D. L. ; Cooper, B. R. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 61 (2000), Heft 15, S. 9867-9870
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    Volume and composition dependence of direct and indirect band gaps in ordered ternary III-V semiconductor compounds: A screened-exchange LDA study
    Picozzi, S. ; Continenza, A. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 61 (2000), Heft 7, S. 4677-4684
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    Exchange and correlation effects beyond the LDA on the dielectric function of silicon
    Olevano, V. ; Palummo, M. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 60 (1999), Heft 20, S. 14224-14233
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    Implementation of the LDA + U method using the full-potential linearized augmented plane-wave basis
    Shick, A. B. ; Liechtenstein, A. I. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 60 (1999), Heft 15, S. 10763-10769
    Online serialPeriodical
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    Fitting of accurate interatomic pair potentials for bulk metallic alloys using unrelaxed LDA energies
    Ferreira, L. G. ; Ozolins, V. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 60 (1999), Heft 3, S. 1687-1696
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    Atomic and electronic structure of the CdTe(001) surface: LDA and GW calculations
    Gundel, S. ; Fleszar, A. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 59 (1999), Heft 23, S. 15261-15269
    Online serialPeriodical
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Optical properties and electronic structures of semiconductors with screened-exchange LDA
    Asahi, R. ; Mannstadt, W. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 59 (1999), Heft 11, S. 7486-7492
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    LDA exchange-energy functional
    Andriotis, A. N.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 58 (1998), Heft 23, S. 15 300- (4S.)
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    Development of bond-length alternation in very large carbon rings: LDA pseudopotential results
    Bylaska, E. J. ; Weare, J. H. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 58 (1998), Heft 12, S. R7488- (4S.)
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    Reformulation of the LDA + U method for a local-orbital basis
    Pickett, W. E. ; Erwin, S. C. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 58 (1998), Heft 3, S. 1201-1209
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    LDA theory of the coverage dependence of the local density of states: Li adsorbed on Ru(001)
    Mannstadt, W. ; Freeman, A. J.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 57 (1998), Heft 20, S. 13 289- (6S.)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Gaussian-basis LDA and GGA calculations for alkali-metal equations of state
    Jaffe, J. E. ; Lin, Z. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 57 (1998), Heft 19, S. 11 834- (4S.)
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    Vacancy self-diffusion parameters in tungsten: Finite electron-temperature LDA calculations
    Satta, A. ; Willaime, F. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 57 (1998), Heft 18, S. 11 184- (9S.)
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    Ab initio calculations of quasiparticle band structure in correlated systems: LDA + + approach
    Lichtenstein, A. I. ; Katsnelson, M. I.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 57 (1998), Heft 12, S. 6884-6895
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    LDA simulations of pressure-induced anomalies in c/a and electric-field gradients for Zn and Cd
    Novikov, D. L. ; Freeman, A. J. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 56 (1997), Heft 12, S. 7206-7214
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    Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells (7 pages)
    Matusalem, F. ; Ribeiro, M. ; et al.
    In: PHYSICAL REVIEW -SERIES B-, Jg. 88 (2013), Heft 22, S. 224102-224102
    serialPeriodical
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