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    Growth pyramids on Si(111) facets: A CVD and MBE study
    R. H. van Aken ; J.W. van Wingerden ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 57 (1998-03-15), S. 7252-7258
    Online unknown
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    Pressure effect on diamond nucleation in a hot-filament CVD system
    Chen, Yan ; Lam, Y. W. ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 55 (1997-06-15), S. 15937-15941
    Online unknown
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Hydrogen elimination model of the formation of hydrogen bonding structures during the growth of hydrogenated amorphous silicon by plasma CVD
    Terakawa, Akira ; Matsunami, Hiroyuki
    In: Physical Review B, Jg. 62 (2000-12-15), S. 16808-16814
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Role of grain size in superconducting boron-doped nanocrystalline diamond thin films grown by CVD
    Zhang, Gufei ; Goderis, Bart ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 84 (2011-12-12)
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    EPR of a defect in CVD diamond involving both silicon and hydrogen that shows preferential alignment
    Briddon, Patrick R. ; Rizwan Uddin Ahmad Khan ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 82 (2010-10-15)
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Theory of metastable group-IV alloys formed from CVD precursors
    Cohen, Marvin L. ; Louie, Steven G. ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 64 (2001-11-08)
    Online unknown
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Comparison of different methods of nitrogen-vacancy layer formation in diamond for wide-field quantum microscopy
    Simpson, David ; Tetienne, Jean-Philippe ; et al.
    In: Physical Review Materials, Jg. 4 (2020-10-29)
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Dark defect charge dynamics in bulk chemical-vapor-deposition-grown diamonds probed via nitrogen vacancy centers
    Lozovoi, Artur ; Meriles, Carlos A. ; et al.
    In: Physical Review Materials, Jg. 4 (2020-05-12)
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Role of hydrogen inSiH2adsorption on Si(100)
    Chou, Mei-Yin ; Hong, Suklyun
    In: Physical Review B, Jg. 58 (1998-11-15), S. R13363- (4S.)
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Ab initioNMR Chemical Shift of Diamond, Chemical-Vapor-Deposited Diamond, and Amorphous Carbon
    Louie, Steven G. ; Mauri, Francesco ; et al.
    In: Physical Review Letters, Jg. 79 (1997-09-22), S. 2340-2343
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Initial Stages of Fe Chemical Vapor Deposition onto Si(100)
    Ll, Tedder ; Swartzentruber, Brian S. ; et al.
    In: Physical Review Letters, Jg. 74 (1995-06-19), S. 5088-5091
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical properties of the neutral silicon split-vacancy center in diamond
    Twitchen, Daniel J. ; Philip Maurice Martineau ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 84 (2011-12-21)
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Preparation and characterization ofBxC1−xthin films with the graphite structure
    Kasrai, Masoud ; Myrtle, K. ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 46 (1992-07-15), S. 1697-1702
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Photoluminescence microscopy of carbon nanotubes grown by chemical vapor deposition: Influence of external dielectric screening on optical transition energies
    Malik, Sharali ; Kappes, Manfred M. ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 75 (2007-02-23)
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Possibility for the electrical activation of the carbon antisite by hydrogen inSiC
    Deák, Peter ; Nguyen Tien Son ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 71 (2005-01-26)
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Effect of Oxygen Adsorption on Electrical and Thermoelectrical Properties of Monolayer MoS2
    Chakrabarti, Poulab ; Kantimay Das Gupta ; et al.
    In: Physical Review Applied, Jg. 14 (2020-09-11)
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Probing the interaction of noble gases with pristine and nitrogen-doped graphene through Raman spectroscopy
    Perea-Lopez, Nestor ; Lv, Ruitao ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 97 (2018-05-14)
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Quantitative study of C—H bonding in polymerlike amorphous carbon films usingin situinfrared ellipsometry
    Heitz, T. ; Drevillon, Bernard ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 58 (1998-11-15), S. 13957-13973
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    New Hydrogen Distribution ina-Si:H: An NMR Study
    Han, D. X. ; Mahan, A. H. ; et al.
    In: Physical Review Letters, Jg. 77 (1996-09-02), S. 2049-2052
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Unambiguous determination of Fourier-transform infrared spectroscopy proportionality factors: The case of silicon nitride
    Schropp, Ruud E. I. ; C.H.M. van der Werf ; et al.
    In: Physical Review B, Jg. 73 (2006-05-30)
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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