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12 Treffer

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    Capacitance Characterization of Gate to LDD Overlap Region to Understand Subtle Fail Modes in Advanced Node Technologies
    Chong Khiam Oh ; Kodali, Satish ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2019-12-01
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    The Unique and Completed Characteristics of Device Behaviors in the Nanoprobing Analysis and Application for Missing LDD
    Lai, LiLung
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2013-11-01
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Identification of a Non-LDD Induced Vt Shift Failure Mechanism via Nano-Probe Characterization
    Tsang, Yuk ; Mulder, Randal E.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2010-11-01
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    S/D LDD Junction Stain/Delineation by Electrochemical Displacement with Illumination
    Chen, Tammy ; Chiu, Re-Long ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2008-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Site-Specific Sample Preparation Method for Atom Probe Tomography on Semiconductor Devices
    Kral, Zdenek ; Prosa, Ty J. ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2020-12-01
    Online unknown
    Zugriff:
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Enhancing Point Defect Isolation by Using Ionizing Radiation
    Gadlage, Matthew J. ; Titus, Jeffrey L. ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2019-12-01
    Online unknown
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    Poly Undercut Induced Device Asymmetric Failure
    Shiuan Wen Huang ; Wen Hui Wang ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2016-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    TEM Failure Analysis and Root Cause Understanding of Nitride Spacer Bridging in 45 nm Semiconductor Manufacturing Processes
    Changqing, Chen ; Teo Kim Hong ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2012-11-01
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Electrical Signature Verification of a Lightly Doped Drain Profile Abnormality in a 65nm Device via Nano-Probing and Junction Stain TEM
    Yang, May ; Niou, Chorng ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2009-11-01
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Low Voltage, Low Current AFP Characterization of Non-Visible Soft Transistor Defects
    Subramanian, Sam ; Chrastecky, Tony ; et al.
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2008-11-01
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Timing Problems Due to Spacer Bridging in a Sub-100 nm Product
    Jan van Hassel
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2008-11-01
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    90nm Technology SRAM Soft Fail Analysis Using Nanoprobing and Junction Stain TEM
    Zimmermann, Gunnar ; Mueller, Stefan
    In: International Symposium for Testing and Failure Analysis, 2006-11-01
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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