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    Process integration of CVD Cu seed using ALD Ru glue layer for sub-65nm Cu interconnect
    CHOI, S.-M ; PARK, K.-C ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 64-65
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dual work function metal gate CMOS using CVD metal electrodes
    NARAYANAN, V ; CALLEGARI, A ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 192-193
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Reliability robustness of 65nm BEOL Cu damascene interconnects using porous CVD low-k dielectrics with k = 2.2
    LIN, K. C ; LU, Y. C ; et al.
    In: 2004 Symposium on VLSI Technology (digest of technical papers), , S. 66-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -