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    High rate CVD-diamond etching for high temperature pressure sensor applications
    Otterbach, R. ; Hilleringmann, U.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 320-323
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Simulation of a Coating Protection for an In Situ Ellipsometer in a CVD Furnace
    Poscher, S. ; Lehnert, W. ; et al.
    In: 29th European Solid-State Device Research Conference, Jg. 1 (1999), S. 676-679
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MOSFET characteristics of ultra thin CVD Si3N4 gate dielectrics
    Song, S.C. ; Luan, H.F. ; et al.
    In: 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, S. 232-235
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Fabrication of 0.1 um MOSFET with Super Self-Aligned Ultrashallow Junction Electrodes Using Selective Si1-x Gex CVD
    Murota, J. ; Ishii, M. ; et al.
    In: 27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, S. 376-379
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -