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    Konferenz
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    20 ans de recherche au LPES dans le cadre des LARD
    Iacconi, Philibert ; Wrobel, Frédéric ; et al.
    In: Radioprotection, Jg. 41 (2006), S. S103- (18S.)
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Growth of GaAs/Al~XGa~1~-~XAs layers by LPE method and their characterization by SIMS
    Nia, B.A. ; Ghaderi, A. ; et al.
    In: EPJ APPLIED PHYSICS, Jg. 55 (2011), Heft 3, S. 31303-31303
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Growth of GaAs/AlxGa1−xAs layers by LPE method and their characterization by SIMS.
    Arghavani Nia, B. ; Ghaderi, A. ; et al.
    In: European Physical Journal - Applied Physics, Jg. 55 (2011-09-01), Heft 3, S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Growth of GaAs/AlxGa1−xAs layers by LPE method and their characterization by SIMS
    Oskoie, M. ; Solaymani, Shahram ; et al.
    In: The European Physical Journal Applied Physics, Jg. 55 (2011-08-18), S. 31303-31303
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Minority carrier trap measurements in schottky barriers on N-type LPE GaAs
    Piqueras, J.
    In: Revue de Physique Appliquée, Jg. 12 (1977), S. 1819-1821
    Online unknown
    Zugriff:
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    EFFECTS OF GROWTH CONDITIONS ON DEEP-LEVEL DEFECTS IN VPE AND LPE GaAs
    Wang, W.L. ; Sheng, S
    In: Le Journal de Physique Colloques, Jg. 43 (1982-12-01), S. C5- (397S.)
    Online unknown
    Zugriff:
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    INTERFACE SPINODAL DECOMPOSITION IN LPE InxGa1-xAsyP1-y LATTICE MATCHED TO InP
    Glas, F. ; Quillec, M. ; et al.
    In: Le Journal de Physique Colloques, Jg. 43 (1982-12-01), S. C5- (7S.)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    LOW-TEMPERATURE GROWTH CONDITIONS AND PROPERTIES OF AlGa (As) Sb ON GaSb SUBSTRATE BY LPE
    Fujita, S. ; Hamaguchi, N. ; et al.
    In: Le Journal de Physique Colloques, Jg. 43 (1982-12-01), S. C5- (25S.)
    Online unknown
    Zugriff:
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    LPE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF CADMIUM AND BERYLLIUM DOPED InP AND In.7Ga.3As.6P.4
    Benoit, J. ; Magnabal, J. ; et al.
    In: Le Journal de Physique Colloques, Jg. 43 (1982-12-01), S. C5- (69S.)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    THERMODYNAMIC STUDIES OF THE SILICON TRANSPORT IN LPE GROWTH ON InP SUBSTRATES
    Chatillon, C. ; Bernard, C.
    In: Le Journal de Physique Colloques, Jg. 43 (1982-12-01), S. C5- (353S.)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    LPE-GROWTH OF HIGH PURITY Ga0.47In0.53As- AND Ga0.31In0.69As0.69P0.31- LAYERS LATTICE MATCHED TO InP
    Hess, K. ; Schemmel, G. ; et al.
    In: Le Journal de Physique Colloques, Jg. 43 (1982-12-01), S. C5- (57S.)
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of rare earth addition on GaAs-based layers grown by liquid phase epitaxy
    KNIKOVSKY, S. I ; POPOV, V. M ; et al.
    In: 10th International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors - DRIP-X, Batz-sur-Mer, France, 29th September-2nd October, 2003, Jg. 27 (2004), Heft 1-3, S. 177-179
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Raman characterization of the In0.14Ga0.86As0.13Sb0.87 highly doped with Te grown on GaSb by liquid phase epitaxy
    DIAZ-REYES, J ; LEPEZ-CRUZ, E ; et al.
    In: ICFSI-10: 10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, Aix-en-Provence, France, 3-8 July, 2005, Proceedings, Jg. 132 (2006), S. 211-214
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The effects of the time-dependent and exposure time to air on Au/epilayer n-Si Schottky diodes
    CETINKARA, H. A ; SAGLAM, M ; et al.
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 6 (1999), Heft 1, S. 89-94
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Homogenization and two-scale models for liquid phase epitaxy
    ECK, Ch ; EMMERICH, H
    In: Advances in the Multi-Scale Computational Design of Condensed Matter Interfaces: From the Atomistic to the Continuum Scale, Jg. 177 (2009), S. 5-21
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    A phase-field/Monte-Carlo model describing organic crystal growth from solution: Investigation of the diffusion-influenced growth of hydroquinone crystals
    KUNDIN, J ; YÜRÜDÜ, C ; et al.
    In: The European physical journal. B, Condensed matter physics (Print), Jg. 70 (2009), Heft 3, S. 403-412
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Microstructure and morphology evolution in chemical solution deposited PbSe films on GaAs(100)
    SHANDALOV, M ; GOLAN, Y
    In: EPJ. Applied physics (Print), Jg. 24 (2003), Heft 1, S. 13-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Computation of nonlinear multiscale coupling effects in liquid phase epitaxy
    CHALUPECKY, V ; ECK, Ch ; et al.
    2007
    Buch
    Wie komme ich dran?
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    Elaboration par épitaxie en phase liquide isotherme de photopiles solaires performantes à hétérostructure graduelle GaAlAs/GaAs
    Mayet, L. ; Gavand, M. ; et al.
    In: ISSN: 0302-072X ; Journal de Physique Lettres ; https://hal.science/jpa-00232424 ; Journal de Physique Lettres, 1984, 45 (17), pp.873-876. ⟨10.1051/jphyslet:019840045017087300⟩, 1984
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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