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    Atomic-scale Dopant Integration During CMOS Device Fabrication : 240th Electrochemical Society meeting (ECS)
    Leenheer, Andrew ; Halsey, Connor ; et al.
    In: Meeting abstracts, Jg. 240 (2021), Heft 3, S. 1215-1216
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An Extended-Gate Ion-Sensitive Field-Effect Transistor with CMOS Technology-Intrinsic TiN Sensing Layer : 239th ECS meeting with the 18th international meeting on chemical sensors (IMCS)
    Teng, Nan-Yuan ; Wu, Yi-Ting ; et al.
    In: Meeting abstracts, Jg. 239 (2021), Heft 4, S. 2301-2302
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    (Invited) Isotopically Engineered Silicon Testbeds for Advanced CMOS and Quantum Information : 239th ECS meeting with the 18th international meeting on chemical sensors (IMCS)
    Miyamoto, Satoru ; Usami, Noritaka ; et al.
    In: Meeting abstracts, Jg. 239 (2021), Heft 2, S. 1329-1330
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Extending Planar Single-Gate CMOS & Accelerating the Realization of Double-Gate/Multi-Gate CMOS Devices : ULSI process integration
    Borland, J. O. ; Iwai, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 330-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Silicon Oxynitride Layers Fabricated by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) for CMOS Devices : International chemical vapor deposition symposium; EuroCVD 17 / CVD 17
    Mroczynski, R. ; Beck, R.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 25 (2009), Heft 8, S. 797-804
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Real-Time Detection of Self-Assembled Monolayer Formation Using CMOS-Based Nanocapacitor Arrays : 240th Electrochemical Society meeting (ECS)
    Chinnathambi, Selvaraj ; Saghafi, Mohammad ; et al.
    In: Meeting abstracts, Jg. 240 (2021), Heft 5, S. 2361-2361
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Crystalline Rare-Earth Oxides as High-k Materials for Future CMOS Technologies : Physics and technology of high-k gate dielectrics
    Osten, H. ; Laha, A. ; et al.
    In: ECS TRANSACTIONS, Jg. 11 (2007), Heft 4, S. 287-298
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Polysilicon CMOS TFTs Inverters with a Gate Silicon Oxide Deposited using PECVD with Hexamethyldisiloxane (HMDSO) : Thin film transistor technologies
    Gautier, G. ; Coulon, N. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2002-23 (2003), S. 55-62
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Development of Poly-Si CMOS TFT Using Counter Doping Process : Thin film transistor technologies
    Yang, J. Y. ; Yu, S. H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2002-23 (2003), S. 47-54
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Novel Self-Aligned Ultra-Thin Elevated Channel Low Temperature CMOS Poly-Si TFT : Thin film transistor technologies
    Xiong, Z. ; Liu, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2002-23 (2003), S. 42-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Compatibility of Polysilicon with HfO~2-based Gate Dielectrics for CMOS Applications : ULSI process integration
    Kaushik, V. ; De Gendt, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 391-396
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Extremely Scaled Ultra-Thin Body and FinFET CMOS Devices : ULSI process integration
    Balasubramanion, S. ; Chang, L. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 534-545
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    60-nm Gate Length SOI CMOS Technology Optimized for 'System-on-a-SOI-Chip' Solution : ULSI process integration
    Imai, K. ; Maruyama, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 493-502
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Si Channel Surface Dependence of Electrical Characteristics in Ultra-Thin Gate Oxide CMOS : ULSI process integration
    Momose, H. S.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 361-374
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Emerging Device Solutions for the Post-Classical CMOS Era : ULSI process integration
    De Meyer, K. ; Collaert, N. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 291-305
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Radiation response of SOI CMOS transistors/4M SRAMs fabricated in UNIBOND substrates : Silicon-on-insulator technology and devices
    Liu, S. T. ; Heikkila, W. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 449-454
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Steady-state characterization of partially depleted SOI CMOS gates : Silicon-on-insulator technology and devices
    Bracale, A. ; Dupont-Nivet, E. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 499-504
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Radiation damage in deep submicron partially depleted SOI CMOS : Silicon-on-insulator technology and devices
    Simoen, E. ; Rafi, J. M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 437-442
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Strained Si/SiGe channels: a new performance advantage for PD/SOI CMOS : Silicon-on-insulator technology and devices
    Zhang, W. ; Fossum, J. G.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 349-354
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A novel CMOS memory cell architecture for ultra-low power applications operating up to 280^oC : Silicon-on-insulator technology and devices
    Levacq, D. ; Dessard, V. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 249-254
    Konferenz
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