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    Strained Si/SiGe channels: A new performance advantage for PD/SOI CMOS
    WEIMIN, ZHANG ; FOSSUM, Jerry G
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 349-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation damage in deep submicron partially depleted SOI CMOS
    SIMOEN, E ; RAFI, J. M ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 437-442
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Degradation of deep submicron partially depleted soi CMOS transistors under MeV proton or gamma irradiation
    SIMOEN, E ; RAFF, J. M ; et al.
    In: Microelectronics technology and devices SBMICRO 2003 (Sao Paulo, 8-11 September 2003), 2003, S. 18-27
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Assessment of anomalous behavior in hydrodynamic simulation of CMOS bulk and partially depleted SOI devices
    MUNTEANU, D ; LE CARVAL, G
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002), Heft 10, S. G574- (7S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal processing and mobility in strained heterostructures on insulator
    ABERG, Ingvar ; NI CHLEIRIGH, Cait ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 505-514
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High performace strained-SOI CMOSFETs
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, Tomohisa ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 159-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High performace strained-SOI CMOSFETs
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, Tomohisa ; et al.
    In: ULSI process integration III (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 518-533
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    300 MM SOI for high volume manufacturing
    PFEIFFER, G ; HAAG, M ; et al.
    In: Silicon materials science and technology X (Denver CO, 7-12 May 2006), 2006, S. 167-181
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI mosfets
    CAMILLO, L. M ; MARTINO, J. A ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XII (Quebec PQ, 15-20 May 2005), 2005, S. 119-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Technology and applications of silicon-on-nothing
    MIZUSHIMA, I ; SATO, T ; et al.
    In: ULSI process integration IV (Quebec PQ, 16-20 May 2005), 2005, S. 245-258
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Applications of bonding SOI technology to high performance LSI circuits
    YOSHIMI, Makoto ; LETERTRE, Fabrice ; et al.
    In: Semiconductor wafer bonding VIII : science, technology, and applications (Quebec PQ, 15-20 May 2005), 2005, S. 9-19
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Temperature influence on the generation lifetime determination based on drain current transients in partially depleted SOI nMOSFETs
    MARTINO, J. A ; RAFI, J. M ; et al.
    In: High purity silicon VIII (Honolulu HI, 3-8 October 2004), 2004, S. 346-356
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Status and future development of PDSOI MOSFETs
    KRISHNAN, Srinath
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 215-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Status and future development of PDSOI MOSFETs
    KRISHNAN, Srinatha
    In: ULSI process integration III (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 556-565
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Replacing the box with buried alumina: Improved thermal dissipation in SOI MOSFETs
    OSHIMA, K ; CRISTOLVEANU, S ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 45-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nature of high-temperature charge instability in fully depleted SOI MOSFETs
    NAZAROV, A. N ; LYSENKO, V. S ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 455-460
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication of SiGe-on-insulator substrates for high-performance strained SOI-MOSFETs by germanium condensation technique
    TEZUKA, Tsutomu ; SUGIYAMA, Naoharu ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 305-314
    Konferenz
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    Cluster ion beam process technology
    YAMADA, Isao ; TOYODA, Noriaki ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 51-60
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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