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  1. LIU, Rich ; WU, Tai-Bor
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 207-216
    Konferenz
  2. KIM, Jonghae ; PLOUCHART, Jean-Olivier ; et al.
    In: Dielectrics for nanosystems : materials science, processing, reliability, and manufacturing (Honolulu HI, 3-8 October 2004), 2004, S. 292-311
    Konferenz
  3. VAN DUZER, T ; WHITELEY, S. R ; et al.
    In: Low temperature electronics and low temperaturee cofired ceramic based electronic devices (Orlando FL, 12-16 October 2003), 2003, S. 44-49
    Konferenz
  4. MESTANZA, S. N. M ; MANERA, L. T ; et al.
    In: Microelectronics technology and devices SBMICRO 2003 (Sao Paulo, 8-11 September 2003), 2003, S. 428-436
    Konferenz
  5. YAUNG, Dun-Nian ; WUU, Shou-Gwo ; et al.
    In: Dielectrics for nanosystems : materials science, processing, reliability, and manufacturing (Honolulu HI, 3-8 October 2004), 2004, S. 135-150
    Konferenz
  6. BORLAND, John O ; IWAI, Hiroshi ; et al.
    In: ULSI process integration III (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 330-345
    Konferenz
  7. LI, Ming-Fu ; LEE, Sungjoo ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 301-310
    Konferenz
  8. WONG, H.-S. Philip
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 13-22
    Konferenz
  9. LINDNER, J ; MIEDL, S ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 459-464
    Konferenz
  10. NARA, Yasuo ; OOTSUKA, Fumio ; et al.
    In: Silicon materials science and technology X (Denver CO, 7-12 May 2006), 2006, S. 27-31
    Konferenz
  11. STANDLEY, R ; MANSOORI, M ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 535-541
    Konferenz
  12. VAN DAL, M. J. H ; LAUWERS, A ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 233-240
    Konferenz
  13. HUSSAIN, Muhammad Mustafa ; MOUMEN, Naim ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 188-197
    Konferenz
  14. DE VOS, Joeri ; HASPESLAGH, Luc ; et al.
    In: ULSI process integration IV (Quebec PQ, 16-20 May 2005), 2005, S. 306-315
    Konferenz
  15. WEBER, U ; BOISSIERE, O ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 293-300
    Konferenz
  16. WONG, H.-S. Philip
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 3-12
    Konferenz
  17. FROMENT, B ; CARRON, V ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices II (San Antonio TX, 10-12 May 2004), 2004, S. 191-201
    Konferenz
  18. LU, J. P ; MILES, D. S ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices II (San Antonio TX, 10-12 May 2004), 2004, S. 159-173
    Konferenz
  19. MASZARA, W. P
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices II (San Antonio TX, 10-12 May 2004), 2004, S. 341-353
    Konferenz
  20. HOBBS, Christopher ; FONSECA, Leonardo ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices II (San Antonio TX, 10-12 May 2004), 2004, S. 313-320
    Konferenz
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