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    Radiation response of SOI CMOS transistors/4M SRAMs fabricated in UNIBOND substrates : Silicon-on-insulator technology and devices
    Liu, S. T. ; Heikkila, W. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 449-454
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Steady-state characterization of partially depleted SOI CMOS gates : Silicon-on-insulator technology and devices
    Bracale, A. ; Dupont-Nivet, E. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 499-504
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation damage in deep submicron partially depleted SOI CMOS : Silicon-on-insulator technology and devices
    Simoen, E. ; Rafi, J. M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 437-442
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Strained Si/SiGe channels: a new performance advantage for PD/SOI CMOS : Silicon-on-insulator technology and devices
    Zhang, W. ; Fossum, J. G.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 349-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel CMOS memory cell architecture for ultra-low power applications operating up to 280^oC : Silicon-on-insulator technology and devices
    Levacq, D. ; Dessard, V. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 249-254
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Extremely scaled FinFETs and ultra-thin body SOI CMOS Devices : Silicon-on-insulator technology and devices
    Balasubramanian, S. ; Chang, L. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 197-208
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    60-nm gate length SOI CMOS technology optimised for 'System-on-a-SOI-chip' solution : Silicon-on-insulator technology and devices
    Imai, K. ; Maruyama, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 149-158
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Improved LOCOS Isolation for Ultra Thin 0.18 mum Fully-Depleted SOI CMOS : Silicon-on-insulator technology and devices
    van Meer, H. ; De Meyer, K.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 3 (2001), S. 301-306
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Improvement of Sub-0.25 mum Fully-Depleted SOI CMOS Analog Performance by Thinning the Si Film : Silicon-on-insulator technology and devices
    Neve, A. ; Dessard, V. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 3 (2001), S. 271-276
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Potential of Surface Accumulation Mode for Deep-Submicron Fully-Depleted SOI CMOS Technologies : Silicon-on-insulator technology and devices
    Iniguez, B. ; Rauly, E. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 3 (2001), S. 251-258
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Total Dose Radiation Response of 0.25 mum SOI PD CMOS Transistors : Silicon-on-insulator technology and devices
    Liu, S. T. ; Fechner, P. F. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 3 (2001), S. 121-126
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Post-CMOS Integrated Planar Inductors for Monolilthic Power Management Chips : Magnetic materials, processes, and devices: applications to storage and microelectromechanical systems (MEMS)
    Liakopoulos, T. M. ; Filas, R. W. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 29 (2000), S. 580-591
    Konferenz
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