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    Effects of plasma excitation and chemical pretreatment on adsorption of tungsten hexafluoride on silicon and silicon dioxide studied by X-ray photoelectron spectroscopy
    SAITO, Y ; TAKAGI, T
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 143 (1996), Heft 11, S. 3670-3674
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Mechanism of tungsten atom formation in tungsten etchback using SF6/Ar helicon plasma
    CHANG JU, CHOI ; YEO SONG, SEOL ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 144 (1997), Heft 7, S. 2442-2447
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Equipment simulation of selective tungsten deposition
    WERNER, C ; ULACIA, J. I ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992), Heft 2, S. 566-574
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -