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    Selective Area Growth of InP and Defect Elimination on Si (001) Substrates.
    Wang, Gang ; Leys, Maarten ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 158 (2011-06-01), Heft 6, S. H645- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High Quality Ge Virtual Substrates on Si Wafers with Standard STI Patterning.
    Loo, R. ; Wang, G. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), Heft 1, S. H13- (9S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of Thermal and Electrical Stability of MOCVD HfO2-HfSiO4 Dielectric Layers with Polysilicon Electrodes for Advanced CMOS Technologies.
    Rittersma, Z. M. ; Loo, J. J. P. G. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004-01-12), Heft 12, S. G870- (8S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Successful Selective Epitaxial Si1-xGex Deposition Process for HEBT-BiCMOS and High Mobility Heterojunction pMOS Applications.
    Loo, R. ; Caymax, M. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003-10-01), Heft 10, S. G638- (10S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of selectively grown epitaxial Si1-xGex by spectroscopic ellipsometry and comparison with other established techniques.
    Loo, R. ; Caymax, M. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 147 (2000-02-01), Heft 2, S. 751-755
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Air-microwave plasma etching of polycrystalline diamond thin films.
    Ramesham, R. ; Loo, B. H.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 139 (1992-07-01), S. 1988-1993
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparison between silicon nitride films made by PCVD of N2-SiH4/Ar and N2-SiH4/He.
    Allaert, K. ; Van Calster, A. ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 132 (1985-07-01), S. 1763-1766
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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