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    Continuous change of supersaturation and evolution of oriented structure in dipping LPE process of YBa2Cu3O7-δ
    GUO, L. S ; CHEN, Y. Y ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 404 (2014), S. 69-74
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    LPE growth and characterization of InAs1-xNx films
    LV, Y. F ; HU, S. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 398 (2014), S. 1-4
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Liquid phase epitaxy (LPE) of GaN on c- and r-faces of AlN substrates
    AZIZI, M ; MEISSNER, E ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 322 (2011), Heft 1, S. 74-77
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of annealing conditions on the formation of ohmic contacts on p + 4H-SiC layers grown by CVD and LPE
    VASSILEVSKI, K. V ; CONSTANTINIDIS, G ; et al.
    In: 2nd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, September 2-4, 1998, Montpellier, France, Jg. 61-62 (1999), S. 296-300
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Dielectric functions and the interband critical points of InAs0.05Sb0.95 film grown by a modified LPE technique
    HU, S. H ; YU, G. L ; et al.
    In: Physica. B, Condensed matter, Jg. 405 (2010), Heft 1, S. 227-230
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural and optical characteristics of InGaP layers grown on GaAs substrates by LPE technique
    PRUTSKIJ, T ; DIAZ-ARENCIBIA, P ; et al.
    In: Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Science and Technology, Jg. 338-40 (2004), S. 269-272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Structural characterization of AlxGa1―xSb grown by LPE
    JUAREZ DIAZ, G ; DIAZ-REYES, J ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 15 (2012), Heft 5, S. 472-479
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural and electrical characteristics of InGaAsN layers grown by LPE
    MILANOVA, M ; VITANOV, P ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 346 (2012), Heft 1, S. 79-82
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modified LPE system used to diffuse Cd to obtain InSb infrared detectors
    GUIMARAES, Sonia ; TAVARES DE LIMA, Joaquim ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 310 (2008), Heft 7-9, S. 1657-1663
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    MoO3-Li2O flux LPE growth of YIG films and its characterization
    TAKAGI, T ; FUJINO, M ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the thirteen International Conference on Crystal Growth in conjuction with the eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July-4 August 2001. Part 1, Jg. 237-39 (2002), S. 725-729
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth kinetics of GaP in LPE
    INATOMI, Y ; HORIUCHI, K ; et al.
    In: ICCG-13/ICVGE-11: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Crystal Growth in conjunction with the Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Japan, 30 July - 4 August 2001. Part 2, Jg. 237-39 (2002), S. 1428-1433
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of photodiodes, made from a p-type epitaxial layer grown on n-type InSb <1 1 1> by LPE method
    SAREMINIA, Gh ; HAJIAN, M ; et al.
    In: Infrared physics & technology, Jg. 53 (2010), Heft 5, S. 315-319
    academicJournal
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    academicJournal
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    High quality of InAsSb epilayer with cutoff wavelength longer than 10 μm grown on GaAs by the modified LPE technique
    HU, S. H ; SUN, C. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 311 (2009), Heft 8, S. 2309-2312
    academicJournal
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    LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate
    WANG, Q. W ; SUN, C. H ; et al.
    In: Journal of crystal growth, Jg. 327 (2011), Heft 1, S. 63-67
    academicJournal
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    Modified LPE technique growth and properties of long wavelength InAs0.05Sb0.95 thick film
    HU, S. H ; DENG, H. Y ; et al.
    In: Journal of alloys and compounds, Jg. 465 (2008), Heft 1-2, S. 442-445
    academicJournal
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