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    TWN-FS method: A novel fragment screening method for drug discovery
    Hye Ree Yoon ; Gyoung Jin Park ; et al.
    In: Computational and Structural Biotechnology Journal, Jg. 21 (2023), Heft 4683-4696, S. 4683-4696
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in DOAJ (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    TWN-RENCOD: A novel method for protein binding site comparison
    Choi, Kwang-Eun ; Balupuri, Anand ; et al.
    In: Computational and Structural Biotechnology Journal, Jg. 21 (2023), Heft 425-431, S. 425-431
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record in DOAJ (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    academicJournal
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    20.3.3 Optimization Model for TWN: TWN-Superstr-Optim
    Stanislaw, Sieniutycz ; Jacek, Jeżowski
    In: Energy Optimization in Process Systems and Fuel Cells (3rd Edition); (2018)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    20.3.2.1 Optimization Model for TWN: TWN-Superstr-Optim
    Stanislaw, Sieniutycz ; Jacek, Jezowski
    In: Energy Optimization in Process Systems and Fuel Cells (2nd Edition); (2013)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    20.3.2.1 Optimization Model for TWN: TWN-Superstr-Optim
    Stanislaw, Sieniutycz ; Jacek, Jeżowski
    In: Energy Optimization in Process Systems; (2009)
    Online E-Book
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Twn
    Benian, Guy M. ; Mario R.L. Valenzuela ; et al.
    1995
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Twn
    Lei, Junyi ; Valenzuela, Mario ; et al.
    In: The Protein Kinase FactsBook ; page 161-165; (1995)
    Buch
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Characterization of nitridated layers and their effect on the growth and quality of GaN : III-V nitrides
    Uchida, K. ; Watanabe, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 135-140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Dependence of the HPVE GaN epilayer on GaN buffer layer for GaN direct growth on (001) GaAs substrate : III-V nitrides
    Tsuchiya, H. ; Takeuchi, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 333-338
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Gallium incorporation kinetics during gas-source molecular beam epitaxy growth of GaN : III-V nitrides
    Evans, K. R. ; Lei, T. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 339-344
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Stacking mismatch boundaries in GaN: implications for substrate selection : III-V nitrides
    Smith, D. J. ; Tsen, S.-C. Y. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 349-352
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Cubic GaN formation using dimethylhydrazine and an etching method : III-V nitrides
    Yoshida, S. ; Sasaki, M.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 327-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Formation and etching of thin nitride layers on GaAs using atomic nitrogen and hydrogen : III-V nitrides
    Makimoto, T. ; Kobayashi, N.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 345-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Critical layer thickness of GaN thin layers embedded in GaAs : III-V nitrides
    Sato, M.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 323-326
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Microdisk laser structures formed in III-V nitride epilayers : III-V nitrides
    Zavada, J. M. ; Abernathy, C. R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 353-357
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Melt-back etching of GaN : III-V nitrides
    Kaneko, Y. ; Yamada, N. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 295-298
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Photolytic absorbate removal during the growth of aluminium nitride by remote microwave plasma chemical vapour deposition : III-V nitrides
    Butcher, K. S. A. ; Tansley, T. L. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41, Heft 2, S. 305-314
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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