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    Exploration of robustness limits and ESD EMI impact in a protection device for advanced CMOS technology.
    Galy, Philippe ; Schoenmaker, Wim
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 76 (2017-09-01), S. 680-684
    academicJournal
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    A novel high-performance time-balanced wide fan-in CMOS circuit.
    Sharroush, Sherif M.
    In: Alexandria Engineering Journal, Jg. 55 (2016-09-01), Heft 3, S. 2565-2582
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Research on the effect of single-event transient of an on-chip linear voltage regulator fabricated on 130 nm commercial CMOS technology.
    Zhao, Qi ; Feng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 73 (2017-06-01), S. 116-121
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-precision pulsed laser ranging using CMOS single-photon avalanche diodes.
    Hsu, Tsai-Hao ; Liu, Chun-Hsien ; et al.
    In: Optics & Laser Technology, Jg. 176 (2024-09-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimization and CMOS design of chaotic oscillators robust to PVT variations: INVITED.
    Carbajal-Gomez, Victor Hugo ; Tlelo-Cuautle, Esteban ; et al.
    In: Integration: The VLSI Journal, Jg. 65 (2019-03-01), S. 32-42
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Total Ionizing Dose effects for highly scaled CMOS devices in Low Earth Orbit.
    Sajid, Muhammad ; Chechenin, N.G. ; et al.
    In: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B, Jg. 428 (2018-08-01), S. 30-37
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High performance CMOS level up shifter with full–scale 1.2 V output voltage.
    García, José–Carlos ; Montiel–Nelson, Juan A. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 11-15
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of the operation and SET robustness of a CMOS pulse stretching circuit.
    Andjelkovic, Marko ; Krstic, Milos ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 82 (2018-03-01), S. 100-112
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Design and analysis of CMOS RF receiver front-end of LNA for wireless applications.
    Mudavath, Mahesh ; Kishore, K Hari ; et al.
    In: Microprocessors & Microsystems, Jg. 75 (2020-06-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    An output-capacitor-less flipped voltage follower based low dropout regulator with improved buffer impedance attenuation in 45 nm CMOS technology.
    Panigrahi, Antaryami ; Mathew, Agile
    In: AEU: International Journal of Electronics & Communications, Jg. 155 (2022-10-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Substrate noise isolation improvement in a single-well standard CMOS process.
    Mendonça dos Santos, P. ; Mendes, Luís ; et al.
    In: Integration: The VLSI Journal, Jg. 52 (2016), S. 122-128
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A simple structure for noise-shaping SAR ADC in 90 nm CMOS technology.
    Inanlou, Reza ; Yavari, Mohammad
    In: AEU: International Journal of Electronics & Communications, Jg. 69 (2015-08-01), Heft 8, S. 1085-1093
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record from ScienceDirect (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    LAHAF: Low-power, area-efficient, and high-performance approximate full adder based on static CMOS.
    Fatemieh, Seyed Erfan ; Farahani, Samira Shirinabadi ; et al.
    In: Sustainable Computing: Informatics & Systems, Jg. 30 (2021-06-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements.
    Crespo-Yepes, A. ; Ramos, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 184 (2021-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    An equivalent doping profile for CMOS substrate characterization
    Quaresma, Henrique J. ; Mendonça dos Santos, P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 79 (2013), S. 185-191
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Intrinsic limits of the sensitivity of CMOS integrated vertical Hall devices
    Pascal, Joris ; Hébrard, Luc ; et al.
    In: Sensors & Actuators A: Physical, Jg. 152 (2009-05-21), Heft 1, S. 21-28
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Application of Ru-based gate materials for CMOS technology
    T˘apajna, M. ; Písec˘ny, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-08-01), Heft 4-6, S. 271-276
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Preparation of SrRuO<subscript>3</subscript> films for advanced CMOS metal gates
    Fröhlich, K. ; Hušeková, K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-08-01), Heft 4-6, S. 265-269
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Preparation of SrRuO3 films for advanced CMOS metal gates
    Fröhlich, K. ; Hušeková, K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-08-01), Heft 4-6, S. 265-269
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    CMOS readout circuitry for ISFET microsystems
    Morgenshtein, Arkadiy ; Sudakov-Boreysha, Liby ; et al.
    In: Sensors & Actuators B: Chemical, Jg. 97 (2004), Heft 1, S. 122-131
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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